Вы здесь

Фотоника полупроводниковых и диэлектрических наноструктур


Номер работы - P 27

Представлена Институтом электронной физики НАН Украины

Авторы:Ажнюк Ю.Н., Гомоннай А.В., Джаган В.Н.,  Кучмий С.Я., Носич А.И., Строюк А.Л., Тарасов Г.Г, Юхимчук В.А.

Целью работы является установление механизмов самоиндуцированного формирования полупроводниковых (А4, А3В5) наноструктур и механизмов взаимодействия между квантово размерными структурами и их влияние на процессы излучательной рекомбинации; исследование характеристик гибридных как по составу, так и по квантовому ограничению наногетероструктур; изучение динамики межфазного переноса носителей заряда и характера протекания вторичных фото- химических и каталитических процессов; изучение особенностей внешних воздействий на наноструктуры; построение теоретических моделей для анализа фундаментальных свойств двумерных микролазеров произвольной формы.

Авторами на основе теоретических и экспериментальных исследований установлены механизмы влияния квантово-размерного ограничения в наночастицах на фотофизические и фотохимические процессы. Выявлены различные проявления размерных явлений в фотонике полупроводниковых наночастиц, проанализировано их влияние на процессы поглощения и излучения света, динамику фотогенерированных носителей заряда, характер протекания фотокаталитических процессов. Созданы основы нового междисциплинарного направления - полупроводниковый нанофотокатализ. Установлено, что процесс самоиндуцированного формирования наноостровков при эпитаксии напряженных гетероструктур только в первом приближении описывается механизмом Странского-Крастанова. Реально же он осложняется интенсивной поверхностной интердиффузией. Установлены особенности взаимодействия в гибридных (нуль- двумерных) наногетероструктурах. Для псевдоморфных модулированно легированных гетероструктур AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs установлены закономерности проявления фермиивских краевых сингулярностей в спектрах излучения двумерного электронного газа. Выяснены особенности электронных и фононных состояний композитов "диэлектрическая матрица+ансамбль квантовых точек типа А2В6" и природа радиационно-индуцированных изменений. Построены новые теоретические модели для анализа фундаментальных свойств двумерных микролазеров произвольной формы. Впервые на основе метода парных интегральных уравнений исследован эффект Парсела. Ряд приложений, предложенных авторами, не имеют аналогов в Украине, а некоторые опережают по технико-экономическим показателям зарубежные аналоги.

Количество публикаций: 261, в т.ч. 9 монографий и глав в коллективных монографиях, 219 статей (214 в зарубежных изданиях) суммарный импакт-фактор 530,89. Согласно базе данных Scopus общее количество ссылок на публикации авторов, составляет 3465, h-индекс=34; согласно базе данных Google Shcolar общее количество ссылок - составляет 4318, h-индекс=39. Новизна и конкурентоспособность технических решений защищены 31 патентом и авторскими свидетельствами. По данной тематике защищено 5 докторских и 18 кандидатских диссертаций.