Базові технології виробництва нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки

Номер роботи - P 32 ПОДАНА

Автори:

Ларкін С.Ю., Ваків М.М., Круковський С.І., Кость Я.Я., Васін А.В., Русавський А.В Ніжанковський С.В.

Представлена Публічним акціонерним товариством "Науково-виробничий концерн "Наука".

Метою роботи є розробка та впровадження новітніх високоефективних технологій виготовлення нанорозмірних напівпровідникових  епітаксійних структур для потреб виробництва елементної бази радіоелектроніки, світлодіодів, фотоелектричних перетворювачів.

Розроблено фізико-технологічні засади управління властивостями нанорозмірних гетероструктур А₃В₅ шляхом впливу на їх дефектну підсистему основними параметрами технологічного процесу та легуючими ізовалентними домішками на промислових установках МОС-гідридної епітаксії.

Розроблено оптимальні технологічні процеси отримання ряду нових нанокомпозитних матеріалів з унікальними властивостями на основі кремній-вуглецевих плівок. Розроблено технології модифікації поверхні сапфіру методом термохімічної нітридизації для виготовлення композитних підкладок епітаксійних наногетероструктур. Отримані результати дозволили створити в Україні високотехнологічне виробництво нанорозмірних напівпровідникових  епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки, нанофотоніки, відновлюваних джерел енергії на основі фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії, а також інших суміжних галузей науки і техніки.

Економічний ефект від впровадження розроблених технологій за час виконання роботи на підприємствах високотехнологічних галузей економіки України перевищує 24млн. грн.

Отримані результати широко використовуються у підготовці інженерних, наукових та науково-педагогічних кадрів.

Кількість публікацій: 141 стаття. Новизну та конкурентоспроможність технічних рішень захищено 27 авторськими свідоцтвами і патентами