Наноструктурна характеризація оптоелектронних середовищ на основі халькогенідних склоподібних напівпровідників: методологічний підхід

Номер роботи - M 0

№	Назва роботи та авторський колектив	Ким висунуто роботу
М63	Наноструктурна характерізація оптоелектронних середовищ на основі халькогенідних  склоподібних напівпровідників: методологічний підхід   Кавецький Т.С.	Дрогобицький державний педагогічний університет  імені Івана Франка

 

80 статей

Дана робота присвячена розвитку комплексного методологічного підходу до наноструктурної характеризації халькогенідних склоподібних напівпровідників (ХСН) – перспективних матеріалів сучасної оптоелектроніки. Наноструктурні особливості вивчаються на рівні атомного та атомно-дефіцитного впорядкування для немодифікованих (вихідних/відпалених) та радіаційно-модифікованих (⁶⁰Co       g-опромінених) зразків. Аналізується використання найбільш привабливих методик (експериментальних і теоретичних), які чутливі до нанорозмірної атомної та атомно-дефіцитної організації в невпорядкованих твердих тілах, висвітлюються їх особливості в застосуванні до ХСН.