Номер роботи - M 92 НАГОРОДЖЕНА
Автори:
Новые механизмы электронного транспорта в приборных структурах и омических контактах на основе широкозонных полупроводников
Авторы: Коротеев В.В., Кудрик Я.Я., Шеремет В.Н., Шинкаренко В.В.
New mechanisms of electron transport in device structures and ohmic contacts based on wide-gap semiconductors
Authors: Koroteev V.V., Kudryk Ya.Ya., Sheremet V.N., Shynkarenko V.V.
Автори: Коротєєв В.В., к.ф.-м.н., Кудрик Я.Я., к.т.н., Шеремет В.М., к.ф.-м.н., Шинкаренко В.В., к.ф.-м.н.
Представлена Інститутом фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.
Створено основи теорії баллістичного електронного транспорту в коротких n+-n(i)-n+діодних структурах. Запропоновано нову концепцію струмопереносу в омічних контактах до приладових структур на основі широкозонних напівпровідників з високою щільністю дислокацій, в тому числі GaN.
Отримано пріоритетні результати по елементарним методам збудження та генерації терагерцового випромінювання в коротких діодах; природі аномальної провідності в омічних контактах до сильнолегованих напівпровідників з високою щільністю дислокацій; радіаційній стійкості МДН структур з high-kдіелектриком.
Запропоновано нові підходи до конструювання короткобазових діодів на основі GaNна діапазон 0,5-2 ТГц, до створення термостійких контактних систем; розробки автоматизованих засобів діагностики мікрохвильових діодів та контактних систем до них; атермічних методів гетерування.
Авторами здійснено постановку нових нетрадиційних задач в області розрахунку та конструювання нітридгалієвих діодів терагерцового діапазону та створення високонадійних контактних систем до широкого набору мікрохвильових активних елементів.
Кількість публікацій: 198,в т.ч. за темою роботи37 статей (13 в зарубіжних виданнях), 9 тез доповідей, сумарна кількість посилань на публікації авторів 33 (згідно бази даних SCOPUS), h-індекс=2.