Ви є тут

Обґрунтування та розробка технології формування відвалів з об’єднаною поверхнею для збільшення площі рекультивованих земель при розробці горизонтальних родовищ


Номер роботи - M 77 ПОДАНА

Автор: Ложніков О.В., к.т.н.

Представлена Національним гірничим університетом

Мета роботи полягає в науковому обґрунтуванні способу і технології формування зовнішнього і внутрішнього відвалів з об’єднаною поверхнею, яка забезпечить збільшення площі землі під сільськогосподарський напрям рекультивації при розробці горизонтальних родовищ корисних копалин. Встановлено: залежність площі поверхонь зовнішнього і внутрішнього відвалів, придатних для сільськогосподарського напряму рекультивації від площі, зайнятої під укосами відвалів і траншей, виходячи з якої обґрунтовано новий спосіб збільшення площі рекультивованих земель;  залежності кута нахилу поверхні об’єднаних відвалів від параметрів кар’єру, які дозволили визначити діапазон можливих кутів нахилу поверхні об’єднаних відвалів; нові залежності ширини відвальної заходки від висоти відвального ярусу, на основі яких скореговано параметри технологічної схеми відвалоутворення верхнього відвального ярусу, що забезпечує створення поверхні об’єднаних відвалів зі встановленим кутом нахилу.

 Практичне значення роботи полягає в розробці способу формування відвалів з об’єднаною поверхнею для збільшення площі рекультивації земель під сільськогосподарський напрям використання при розробці горизонтальних родовищ та методики визначення раціональних параметрів відвалів з об’єднаною поверхнею, яка дозволяє визначити необхідні для обґрунтування технологічної схеми: кут нахилу поверхні відвалів, об’єми відвальних блоків, ширину відвальних блоків по верху, кути укосів відвальних блоків.

Наукові результати роботи використовуються на практиці в ДП «Інститут «УкрНДІпроект» (м. Київ) , у технічних відділах Вільногірського ГМК (ПАТ «Кримський Титан») та Вершинського кар’єру (ТОВ «Проско Ресурси») .

Кількість публікацій: 18, в т.ч. 2 колективні монографії, 6 статей, 9 тез доповідей, патент.