Номер роботи - M 18 ДОПУЩЕНА ДО УЧАСТІ
Автори:
Разработка физических основ конструктивно-технологических решений новейших приборов оптоэлектроники»
«Development of the physical foundations of design and technological solutions of the newest optoelectronics devices»
Автори: Кіріченко М.В., к.т.н., Федорін І.В., Зайцев Р.В.
Представлена Національним технічним університетом "Харківський політехнічний інститут".
Розроблено фізико-технологічні основи нових конструктивно-технологічних рішень вітчизняних монокристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) для підвищення їх ККД при одночасному зниженні вартості таких ФЕП та теоретичний опис властивостей нових шаруватих метаматеріалів, які можуть бути використанні в конструкції сучасних сонячних елементів та інших приладах мікро- та наноелектроніки.
Продемонстровано прикладну можливість підвищення ККД багатоперехідних Si-ФЕП з вертикальними діодними комірками нової генерації за рахунок зниження залежності вихідних параметрів приладу такого типу від кута надходження світла до його фотоприймальної поверхні. Показано, що специфічність штучної періодичної напівпровідникової структури у магнітному полі дозволяє ефективно впливати на спектральні властивості такого матеріалу магнітним полем та товщинами шарів.
Обґрунтовано можливість ефективного управління оптичними властивостями напівпровідникового періодичного метаматеріалу, що дає змогу використовувати розглянуті структури як Брегівські дзеркала, антивідбиваючі покриття, фотоелектричні елементи.
Розроблено, виготовлено і запатентовано в Україні універсальний світлодіодний освітлювач, який дає можливість швидко та маловитратно проводити атестацію монокристалічних Si‑ФЕП.
Версія для друку