Ви є тут

Сенсори газу на основі напівпровідникових поруватих шарів


Номер роботи - M 40 НАГОРОДЖЕНА

Представлено Кременчуцьким національним університетом імені Михайла Остроградського

Автори:
1. КОГДАСЬ Максим Григорович – кандидат технічних наук, доцент Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського.
2. НАЙДА Віталій Володимирович – кандидат технічних наук, старший викладач Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського.
3. РУСІНЧУК Наталя Миколаївна – кандидат фізико-математичних наук, асистент кафедри Інституту високих технологій Київського національного університету імені Тараса Шевченка.

Метою роботи є удосконалення сенсорів газу на основі нанорозмірних поруватих шарів напівпровідників, за рахунок удосконалення технології отримання поруватих шарів з різним діаметром пір (40-60 нм) та створення до них контактів Шоттки, що дозволить поліпшити продуктивність діодних датчиків Шоттки як в плані чутливості так і в плані зменшення часу відгуку для виявлення газів.

Авторами удосконалено метод отримання поруватого шару напівпровідників, який вирізняється застосуванням імпульсного струму, що дозволило отримувати поруваті плівки з максимальною рівномірністю поруватості.

Уточнені наукові дані про фотолюмінесценції в por-Si отриманого анодним травленням. Показано, що пік спектру випромінювання фотолюмінесценції por-Si знаходиться на довжині хвилі 650нм. Досліджено вплив морфології поруватого шару напівпровідників на характеристики контакту Шоттки Pd/por-GaAs.

Досліджено вплив  поруватості чутливого до водню контакту Pd/por-GaAs діода Шотткі на швидкість і чутливість сенорів.

Розроблено технологію виготовлення  поруватого шару товщиною до 20 нм та  діаметром пор у межах d = 40-60 нм. Виготовлення контактів до поруватого шару на основі Pd, що дозволило поліпшити продуктивність діодних датчиків Шотткі як в плані чутливості, так і в плані зменшення часу відгуку для виявлення газу.

Науково-прикладні результати роботи дозволяють отримувати економічний ефект близько 200 тис. грн. на рік за рахунок здешевлення виробництва датчиків газу та збільшення кількості придатних електронних приладів на основі поруватих напівпровідників.

Кількість публікацій: 48, в т.ч. 18 статей, 30 тез доповідей. Загальна кількість посилань на публікації авторів/h-індекс роботи згідно баз даних складає відповідно: Scopus – 4/2, Google Scholar – 5/3. Отримано патент України на корисну модель.

Коментарі