Офіційний веб сайт

Базові технології виробництва нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки

р31

Представлено публічним акціонерним товариством "Науково-виробничий концерн "Наука".

Автори: Авксентьєв Ю.А., Ларкін С.Ю., Круковський С.І., Бонковський Е.Л., Ваків М.М., Кость Я.Я., Васін А.В., Русавський А.В.

Метою роботи є розробка та впровадження новітніх високоефективних технологій виготовлення нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб виробництва елементної бази радіоелектроніки, світлодіодів, фотоелектричних перетворювачів. Розроблено фізико-технологічні засади управління властивостями нанорозмірних гетероструктур А3В5 шляхом впливу на їх дефектну підсистему основними параметрами технологічного процесу та легуючими ізовалентними домішками на промислових установках МОС-гідридної епітаксії.

Розроблено оптимальні технологічні процеси отримання ряду нових нанокомпозитних матеріалів з унікальними властивостями на основі кремній-вуглецевих плівок.

Отримані результати дозволили створити у Науково-виробничому концерні «Наука» перше в Україні високотехнологічне виробництво нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки, нанофотоніки, відновлюваних джерел енергії на основі фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії, а також інших суміжних галузей науки і техніки. Економічний ефект від впровадження розроблених технологій за час виконання роботи на підприємствах високотехнологічних галузей економіки України перевищує 27 млн. грн.

Кількість публікацій: 100 статей. Новизну та конкурентоспроможність технічних рішень захищено 26 патентами.

Громадське обговорення роботи відбулося  22 вересня 2014 року  о 14:30 на засіданні вченої ради  факультету радіофізики, електроніки та комп’ютерних систем Київського національного університету імені Тараса Шевченка за адресою: м. Київ, проспект акад. Глушкова 4г.  Матеріали громадського обговорення знаходяться в Секретаріаті Комітету.