Офіційний веб сайт

Базові технології виробництва нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки

р31

Представлено публічним акціонерним товариством "Науково-виробничий концерн "Наука".

Автори: Авксентьєв Ю.А., Ларкін С.Ю., Круковський С.І., Бонковський Е.Л., Ваків М.М., Кость Я.Я., Васін А.В., Русавський А.В.

Метою роботи є розробка та впровадження новітніх високоефективних технологій виготовлення нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб виробництва елементної бази радіоелектроніки, світлодіодів, фотоелектричних перетворювачів. Розроблено фізико-технологічні засади управління властивостями нанорозмірних гетероструктур А3В5 шляхом впливу на їх дефектну підсистему основними параметрами технологічного процесу та легуючими ізовалентними домішками на промислових установках МОС-гідридної епітаксії.

Розроблено оптимальні технологічні процеси отримання ряду нових нанокомпозитних матеріалів з унікальними властивостями на основі кремній-вуглецевих плівок.

Отримані результати дозволили створити у Науково-виробничому концерні «Наука» перше в Україні високотехнологічне виробництво нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки, нанофотоніки, відновлюваних джерел енергії на основі фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії, а також інших суміжних галузей науки і техніки. Економічний ефект від впровадження розроблених технологій за час виконання роботи на підприємствах високотехнологічних галузей економіки України перевищує 27 млн. грн.

Кількість публікацій: 100 статей. Новизну та конкурентоспроможність технічних рішень захищено 26 патентами.

Громадське обговорення роботи відбулося  22 вересня 2014 року  о 14:30 на засіданні вченої ради  факультету радіофізики, електроніки та комп’ютерних систем Київського національного університету імені Тараса Шевченка за адресою: м. Київ, проспект акад. Глушкова 4г.  Матеріали громадського обговорення знаходяться в Секретаріаті Комітету.

Надіслати коментар

Коментарі

Рюхтін Вячеслав Васильович

Перехід до нанорозмірів в напівпровідниках призводить до появи нових фізичних властивостей, пов'язаних з ефектами розмірного квантування та зростанням ролі поверхневих явищ. Розвиток наноелектроніки передбачає поєднання досягнень фізики квантоворозмірних систем та передбачає застосування нанотехнологій,які володі- ють атомною точністю при отриманні напівпровідникових наноструктур з необхідним хімічним складом іконфігура-цією.
Це відкриває нові можливості для зонної інженерії, інтеграції матеріалів з різними сталими кристалічної гратки, керування електрооптичними властивостями,інте-грації з різними фотонними пристроями та біологічними системами. Тому, розробка нових високих технологій виготовлення нанорозмірних напівпровідникових епітак-сійних структур є безперечно актуальною задачею.
Створені в даній роботі базові технології виробництва нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних струк- тур дозволили вперше в Україні успішно вирішити комплекс складних науково-технічних проблем сучасного прикладного матеріалознавства зокрема виготовлення високоефективних структур з нанорозмірних та квантово-розмірними активними шарами, що застосовуються для виготовлення оптоелектронних та НВЧ приладів.
В результаті проведеної роботи створені науково-тех- нічні та технологічні засади для організації вироб-ництва і використання високоефективних тандемних ге- тероструктур для фотоелектричних перетворювачів,світ- лодіодних та НВЧ - епітаксійних структур на основі А3В5.
Вважаю, що робота "Базові технології виробництва нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки" авторів Авксентьєва Ю.А., Ларкіна С.Ю., Круковського С.І., Бонковського Е.Л., Ваківа М.М., Костя Я.Я., Васіна А.В., Русавського А.В. заслуговує присудження Державної премії України в галузі науки і техніки за 2014 рік.

Перший заступник голови правління
з наукової роботи ВАТ "ЦКБ Ритм",
кандидат технічних наук,
Лауреат державної премії України
Рюхтін В.В.

Мар’янчук Павло Дмитрович

На даний час високоефективні гетероструктурні електронні та оптоелектронні прилади знаходять широке застосування у різних областях науки та промисловості.
Робота «Базові технології виробництва нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки» присвячена розробці технології виробництва та впровадження високоефективних тандемних гетероструктур для фотоелектричних перетворювачів, світлодіодних та НВЧ - епітаксійних структур. В результаті проведеної роботи вперше в Україні створені науково-технічні та технологічні засади виробництва нанорозмірних епітаксійних гетеропереходів на основі різних перспективних матеріалів. Велика кількість наукових статей у рейтингових спеціалізованих журналах, а також великий загальний економічний ефект від впровадження розроблених технологій в розмірі 27 мільйонів грн. однозначно свідчать про високу наукову та практичну цінність розглянутої роботи.
Враховуючи вище сказане вважаю, що робота «Базові технології виробництва нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки» заслуговує присудження Державної премії України в галузі науки і техніки за 2014 рік.

Завідувач кафедри електроніки і енергетики
Чернівецького національного університету
ім. Юрія Федьковича
доктор фіз.-мат. наук, професор,
Мар’янчук Павло Дмитрович

Быков Виктор Александрович

В настоящее время приборы на основе полупроводниковых материалов вошли практически во все сферы жизни. Бурное развитие полупроводниковой электроники и наноэлектроники побуждает к поиску новых и усовершенствованию уже существующих технологий получения полупроводниковых материалов.

Учитывая потребность в повышении энергоэффективности и укреплении экологической безопасности государства, развития наукоемких технологий и повышения экспортного потенциала Украины актуальность работы не вызывает сомнений.
Предложенные в работе нанотехнологии изготовления эпитаксиальных структур для СВЧ-техники и оптоэлектроники является основой для изготовления современных оптоэлектронных приборов и устройств.
Особенно заслуживает внимание то, что при непосредственном участии авторов впервые в Украине был запущен в работу новый участок МОС-гидридной эпитаксии, оснащенный комплексом современного высокотехнологичного оборудования, на базе которого была разработана промышленная технология изготовления СВЧ приборов, а также тандемных гетероструктур для концентраторных солнечных батарей и гетероструктур для светодиодов.
Учитывая выше сказанное, а также высокий научно-технический уровень работы считаю, что работа "Базовые технологии производства наноразмерных полупроводниковых эпитаксиальных структур для нужд радиоэлектроники" заслуживает присуждения Государственной премии Украины в области науки и техники за 2014 год.

Генеральный директор ЗАО "Нанотехнология МДТ"
доктор технических наук
В.А. Быков

Yaroslav Koshka

В современной электронике, параллельно с развитием «классических» кремниевых технологий полупроводниковых структур, развиваются и совершенствуются эпитаксиальные технологии для формирования гетероструктур прямозонних полупроводников А3В5, используемых для изготовления СВЧ транзисторов, фотоэлектрических преобразователей и светодиодов. Представленная работа была проведена в рамках данной тематики и охватывает широкую номенклатуру базовых материалов эпитаксиальных структур и их функциональных направлений. Так была создана высокотехнологичная база для производства современных полупроводниковых эпитаксиальных структур с квантовыми ямами на основе А3В5 для высокоэффективных фотоэлектрических преобразователей, светодиодных и СВЧ приборов. Для этого были разработаны технологические методики, которые обеспечивают оптимальный уровень очистки полупроводниковых материалов от неконтролируемых примесей и неравновесных дефектов, оптимизированы технологические режимы формирования эпитаксиальных структур А3В5. Внедрены эффективные технологические процессы кристаллизации гетероструктур Ge/GaAs/InGaP для фотопреобразователей, гетероструктур AlInGaAsP/AlInP для светодиодов оранжевого и красного цвета и гетероструктур на основе GaN для светодиодов синего и белого цвета. Разработана технология создания нанокомпозитных слоев карбонизированного оксида кремния с включениями углеродных нанокластеров (a-SiO2:C), которые показывают белую фотолюминесценцию с очень высоким коэффициентом цветопередачи, для использования в качестве люминофоров в средствах искусственного освещения. Проделан огромный объем работ на передовом, международном научно-технологическом уровне. На мой взгляд достижения цикла «Базовые технологии производства наноразмерных полупроводниковых эпитаксиальных структур для нужд радиоэлектроники» авторов Авксентьев Ю.А., Ларкин С.Ю., Круковский С.И., Бонковский Е.Л ., Вакив М.М., Кость Я.Я., Васин А.В., Русавский А.В. заслуживают присуждения Государственной премии Украины в области науки и техники за 2014 год.

Yaroslav Koshka,
Professor,
Director, Emerging Materials Research Laboratory,
Chair, Materials Working Group
Dept of Electrical & Computer Engineering,
Mississippi State University

Іващенко Володимир Іванович

Розвиток наукомістких технологій і підприємств є дуже важливим для підтримки високої конкурентної спроможності країни та суспільства у сучасному світі. Вони забезпечують не тільки високий економічний ефект, а й сприяють формуванню високого інтелектуального і творчого потенціалу суспільства загалом. Такі виробництва потребують висококваліфікованих кадрів, та сприяють підтримці рівня науково-технічної освіти.
Робота «Базові технології виробництва нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки» є комплексною науково-технологічною розробкою, яка включає в себе організацію та забезпечення процесів синтезу сучасних матеріалів і тонкоплівкових епітаксійних гетероструктур для виготовлення НВЧ-приладів, світлодіодів, фотоперетворювачів, зокрема фотоперетворювачів для концентраторних сонячних батарей. Крім цього, результати виконання роботи дозволяють реалізувати замкнутий цикл виготовлення білих світлодіодів для потреб штучного освітлення та індикації, що є надзвичайно важливим і актуальним з точки зору економії ресурсів держави у середньостроковій перспективі. Вирішено широкий спектр науково-технологічних проблем з доведенням технологічного рівня до реального виробництва. Розроблені технології та матеріали захищені українськими та міжнародними патентами.
Враховуючи те, що база напівпровідникового виробництва, що дісталася Україні в спадок від СРСР була практично повністю знищена ще в 90-х роках, дану роботу можна розглядати як суттєвий крок в напрямку відродження наукомістких напівпровідникових технологій в Україні, з використання сучасного обладнання і новітніх наукових розробок. Тому, безумовно, робота «Базові технології виробництва нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки» авторів Авксентьєва Ю.А., Ларкіна С.Ю., Круковського С.І., Бонковського Е.Л., Ваківа М.М., Костя Я.Я., Васіна А.В., Русавського А.В. заслуговує присудження державної премії України в галузі науки і техніки за 2014 рік.

Іващенко Володимир Іванович
доктор фіз.-мат. наук,
зав. відділом фізичного матеріалознавства тугоплавких сполук
Інститут проблем матеріалознавства НАН України ім. І.М. Францевича, м. Київ

Гордіенко Юрій Омелянович

Представлена науково-виробничим концерном "Наука" робота "Базові технології виробництва нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки" безумовно актуальна і важлива для науки економіки України. Приєднуюсь до аргументації цього положення у попередніх коментарях.
Особливо вважаю доцільним відмітити, що узагальнені в ній наукові результати отримані в таких авторитетних колективах, як ІФНПП ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Науково-виробниче підприємство "Карат", Національний університет "Львівська політехніка".
З них окремо, на мою думку, слід відмітити досягнення в розробці технології виготовлення каскадних гетероструктур GaAs/AlGaAs/InGaP з варізонним активним шаром; тандемного їх включення трьома p-n переходами; брегівських дзеркал n-AlGaAs/GaAs для просвітлення та пасивації кінцевої структури активного елемента. Це стало основою виробництва сучасних високоефективних фотовольтаїчних перетворювачів сонячної енергії.
Також значними є досягнення у створенні нової технології виробництва світлодіодів на основі гетероструктур AlInGaAsP та InGaN/GaN, що забезпечує випуск вітчизняних приладів для червоного та оранжевого діапазонів, а також адаптувати цю технологію до вітчизняного потенціалу.
Цілком згоден, що завдяки доробку авторських колективів в Україні вперше створена та організована високотехнологічна база для виробництва на основі епітаксійних структур A3В5 високоефективних фотоелектричних перетворювачів, світлодіодів та НВЧ активних елементів.
Робота "Базові технології виробництва нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки" без сумніву заслуговує присудження Державної премії України в галузі науки і техніки за 2014 р. Визнання на державному рівні досягнень авторського колективу сприятиме подальшому розвитку і науковому визнанню Української науки та технологій.

Головний науковий співробітник кафедри Мікроелектроніки
Харківського національного універсиету радіоелектроніки,
доктор фізико-математичних наук, професор,
заслужений діяч науки і техніки,
лауреат державної премії України
Гордієнко Ю.О.

Білоголовський Михайло Олександрович

Проблема енергозбереження, енергоефективності та використання відновлювальних джерел енергії є надзвичайно актуальною в наш час. Результати, досягнуті при виконанні роботи «Базові технології виробництва нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки», забезпечують комплексне вирішення деяких суттєвих аспектів цієї проблеми, дуже важливої для народного господарства України.

Розроблені технології виробництва тандемних гетероструктур дозволяють виготовляти на їх основі фотоперетворювачі для концентраторних сонячних батарей, які більш ефективно використовують спектр сонячного випромінювання. Крім того, в даній роботі були створені новітні технології виробництва гетероструктур для світлодіодів, а використані в них інноваційні рішення дозволяють розпочати в країні виробництво світлодіодів білого спектру випромінювання та енергоефективних джерел освітлення на їх основі.
Представлені авторами технології адаптовано для промислових установок МОС-гідридної епітаксії, що дозволяє їх широке та швидке відтворення та промислове масштабування.

З урахуванням вищезазначеного, вважаю, що робота «Базові технології виробництва нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки», безумовно, заслуговує на присудження Державної премії України в галузі науки і техніки за 2014 рік.

Провідний науковий співробітник
Донецького фізико-технічного інституту ім. О.О.Галкіна
Національної академії наук України,
доктор фіз.-мат. наук
Білоголовський М.О.

Болтовець М.С.

На сьогоднішній день розвиток сучасної мікроелектроніки переходить на рівень наноелектроніки, яка може бути визначена як електроніка глибокого субмікронного рівня з розмірами елементів менших за 100нм. Поряд з розвитком традиційних кремнієвих комплементарних метал-оксид-напівпровідник технологій, які забезпечують перехід від мікро- до нанорозмірних елементів в інтегральних схемах, що виготовляються в промислових масштабах, розроблені нанотехнології молекулярно-променевої та металоорганічної епітаксії, на основі яких можливо формувати електронні наноструктури з характеристичними розмірами від одиниць до десятків нанометрів. Саме в таких структурах найбільш яскраво реалізуються квантові ефекти, зумовлені хвилевою природою електрона – інтерференція, керована електронним полем, одноелектронні і резонансні процеси тунелювання, тощо. Застосування властивостей наноструктур, пов’язаних з квантовими явищами, дозволяють створювати принципово новий клас елементів в радіоелектроніці. За своїми параметрами – швидкодії, споживаній потужності, розмірами вони в найближчий перспективі можуть витіснити традиційні транзистори в супершвидкодіючих системах радіоелектроніки, інтелектуальних датчиках, нанофотоніки та ін.
Робота «Базові технології виробництва нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки» якраз присвячена практичному вирішенню проблеми у галузі створення нових наукоємних технологій, в основному на базі сучасної МОС-гідрідної епітаксії, що дозволило сформувати комплексний підхід отримання в Україні високоякісних матеріалів і нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур на основі А3В5, параметри яких відповідають найвищім світовим стандартам для сучасних приладів в надвисокочастотній техніці та оптоелектроніці.
Колективом авторів роботи виконано великий об’єм науково-дослідних та конструкторських робіт, результати яких (публікації, патенти, авторські свідоцтва) мають високий рейтинг на міжнародному рівні. Велике значення має також той факт, що організовано дві виробничі дільниці виготовлення напівпровідникових гетеро структур на основі сполук GaAs та GaN, що об’єднує наукові та навчальні організації.
Враховуючи високий науково-технічний рівень та великий об’єм виконаних робіт вважаю, що робота «Базові технології виробництва нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки» авторів Авксентьєва Ю.А., Ларкіна С.Ю., Круковського С.І., Бонковського Е.Л., Ваківа М.М., Костя Я.Я., Васіна А.В., Русавського А.В. заслуговує присудження Державної премії України в галузі науки і техніки за 2014 рік.

Заступник директора по науковій роботі Державного підприємства «НДІ Оріон» кандидат фізико-математичних наук, лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки
Болтовець М.С.

Ткач Василь Миколайович

Створені, впроваджені та залучені як в реальне виробництво, так і в навчальний процес базові технології виробництва нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур в розглядуваній роботі є чудовим результатом з синергетичним єфектом від успішного об’єднання зусиль фахівців зайнятих як прикладними проблемами постановки промислових технологій, так і тих, хто займається фундаментальними дослідженнями властивостей напівпровідникових матеріалів. Реально практичне спрямування проведених досліджень та розробок для реалізації та розвитку в Україні науково-технічної бази нових НВЧ та оптоелектронних пристроїв, зокрема в рамках пріоритетних напрямків розвитку науки і техніки, виключно широка апробація отриманих результатів через широке представлення в значній кількості публікацій у індексованих зарубіжних та вітчизняних наукових журналах, а також оприлюднення отриманих здобутків на багатьох міжнародних конференціях, достовірно стверджують те, що автори циклу робіт «Базові технології виробництва нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки» Авксентьєв Ю.А., Ларкін С.Ю., Круковський С.І., Бонковський Е.Л., Ваків М.М., Кость Я.Я., Васін А.В., Русавський А.В. заслуговують присудження Державної премії України в галузі науки і техніки за 2014 рік.
Завідувач лабораторії наноструктурних та кристалофізичних досліджень Інституту надтвердих матеріалів НАН України,
доктор фізико-математичних наук

Блонський І. В. член-кор. НАН України

Впродовж останніх 30 років мікро-, нано-, та оптоелектроніка стали передовим індустріальним сектором, що визначає соціальний та економічний прогрес в усьому світі.
Інноваційна роль цього сектору в розвитку світової спільноти може бути проілюстрована успішно реалізованими проектами: створення світових комп’ютерних мереж, мобільної телефонії, навігаційних та експертних систем, медійних технологій, і таке інше. Важливим фактором є також формування міждисциплінарного освітнього, науково-дослідного та виробничого середовища, що дозволяє генерувати кадровий склад спеціалістів та робітників високого рівня кваліфікації.
Еволюційний перехід від мікро- до наноелектроніки з застосуванням нових наноматеріалів та нанотехнологій забезпечує значне збільшення наукоємної високотехнологічної продукції на Світовому ринку і може закріпити провідне положення цього сектора в глобальній економіці.
Тому виконаний авторами дуже великий об’єм робіт, що об’єднує зусилля наукових та навчальних організацій по розробці та впровадженню новітніх високоефективних технологій виготовлення нанорозмірних напівпровідникових епітаксій них структур на основі сполук А2В5 та нових матеріарів для потреб виробництва елементної бази НВЧ-радіоелектроніки, світло діодів та фотоелектричних перетворювачів має велике значення для розвитку суспільства в Україні.
Вважаю, що робота «Базові технології виробництва нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки» авторів Авксентьєва Ю.А., Ларкіна С.Ю., Круковського С.І., Бонковського Е.Л., Ваківа М.М., Костя Я.Я., Васіна А.В., Русавського А.В. заслуговує присудження Державної премії України в галузі науки і техніки за 2014 рік.

Завідвач відділу фотонних процесів Інституту фізики НАН України,
член-кор. НАН України, лауреат Державних премій України, доктор фіз.-мат. наук, професор Блонський І.В.

Половинко Ігор Іванович

В результаті проведеної авторами наукової роботи, створено технологічний цикл який розпочинається розробками новітніх нанотехнологій з використанням сучасного, єдиного в Україні комплексу високотехнологічного обладнання до створення епітаксійних високотехнологічних структур для сучасних приладів зокрема оптоелектроних.
Отримання авторами напівпровідникові наноструктури вже знаходять і знаходитимусь використання у нанофотоніці, виготовленні відновлюваних джерел енергії та ін. Це дозволить у майбутньому значно покращити характеристики існуючих приладів і створити принципово нові типи пристроїв.
Враховуючи вище сказане та безумовно високий рівень технологічних розробок вважаю, що робота «Базові технології виробництва нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки» заслуговує присудження Державної премії України в галузі науки і техніки за 2014 рік.

Декан факультету електроніки
Львівського національного університету
Імені Івана Франка, декан факультету електроніки
доктор фіз. .- мат наук, професор Половинко І.І.

Космина Мирон Богданович

Робота присвячена практичному вирішенню однієї з найактуальніших проблем сучасного приладобудування – мініатюризації, суттєвому підвищенню ефективності та створенню новітніх приладів і пристроїв мікроелектроніки на основі розробки МОС-гідридних технологій наноструктурних утворень з новими унікальними нано-властивостями. Результати комплексних досліджень процесів структуро - та фазоутворення A3B5(Si) гетероструктур дозволити авторам одержати низку результатів світового рівня – досягти квантової ефективності тандемних гетероструктур в діапазоні хвиль 350-1600 нм до 80%, що суттєво підвищило ефективність фотоелектронних перетворювачів для сонячних батарей; одержати епітаксійні структури на основі InP для діодів Гана з надзвичайно високою рухливістю електронів (15000 см2/В∙с) та ін. Особливої уваги заслуговує організація 2-х виробничих дільниць (м. Львів, м. Київ) з виготовлення нанорозмірних епітаксійних структур, параметри яких відповідають світовим стандартам.
Враховуючи високий, світовий рівень технологічних розробок та створеного на їх основі виробництва високоефективних гетероструктур для фотоелектричних перетворювачів, світлодіодних та НВЧ-епітаксійних структур, вважаємо, що робота «Базові технології виробництва нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки» заслуговує присудження Державної премії України в галузі науки і техніки за 2014 рік.

Заступник директора Інституту монокристалів
НАН України, доктор технічних наук Космина М.Б.

Павлик Богдан Васильович

Актуальність теми не викликає сумнівів, оскільки майбутнє електроніки пов'язане з високими технологіями виробництва нанорозмірних напівпровідникових структур. Розвиток наноелектроніки базується на досягненнях сучасної фізики квантових розмірних систем та високоточних технологій отримання ноноструктур із необхідними та заданими параметрами.
Робота представляє собою комплекс фізико-технологічних, науково-дослідницьких та дослідно-конструкторських розробок, присвячених виготовленню необхідних епітаксійних шарів на базі сполук А3В5.
Новизною запропонованого розв'язку проблеми є усунення неузгодженості параметрів граток підкладки та нанесених епітаксійних шарів.
Отримані експериментальні результати дозволили авторам проектe розробити та виготовити портативні сонячні батареї та силові сонячні модулі наземного призначення. Вперше створені науково-технічні та технологічні засади виробництва високоефективних гетероструктур для фотоелектричних перетворювачів, світлодіодних та НВЧ-структурних елементів (діодів Ганна, швидкодіючих діодів та транзисторів).
Нова елементна база на основі нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур дозволяє створювати нові прилади із заданими характеристиками та параметрами.
Все це дозволяє стверджувати, що робота "Базові технології виробництва напівпровідникових епітаксійнимх структур для потреб радіоелектроніки" заслуговує присудження Державної премії України в галуpі науки і техніки за 2014 рік.

Завідувач кафедри електроніки
Львівського національного університету
імені Івана Франка, доктор фіз.-мат. наук,
професор Павлик Б. В.

Франів Андрій Васильович

Науковий інтерес до вивчення та розробки епітаксіальних гетероструктур пов’язаний з унікальними властивостями цих речовин, а саме: можливістю перенесення інформації та застосування їх в якості перспективних матеріалів для створення наносвітло діодів та нового типу накопичувачів електронної пам’яті.
В останні роки дослідження наноструктурованих об’єктів привертає увагу багатьох вчених. Проблема модифікації матеріалів лазерною обробкою ─ не нова в сучасній технології, однак використання таких методик в технології мікроелектроніки є достатньо перспективним, оскільки геометричні розміри самої структури, а особливо окремих елементів часто є співмірні з довжиною хвилі лазерного випромінювання, і також рівні обмеження внаслідок гетероструктурної природи таких матеріалів.
Одержані авторами результати відкривають нові перспективи в галузі приладобудування, а створені прилади використовуються, як потреб науки, так і промисловості. Наукові дослідження та технологічні розробки виконані на світовому рівні, широко апробовані і без сумніву заслуговують міжнародного визнання.
Враховуючи високий науково-технологічний рівень та колосальний об’єм виконаних робіт вважаю, що робота “Базові технології виробництва нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки” авторів Авксентьєва Ю.А., Ларкіна С.Ю., Круковського С.І., Бонковського Е.Л., Ваківа М.М., Костя Я.Я., Васіна А.В., Русавського А.В. заслуговує присудження Державної премії України в галузі науки і техніки за 2014р.

Доктор фіз.-мат наук,
Професор кафедри експериментальної фізики
Львівського національного університету
Імені Івана Франка
Франів А.В.

Воронов Сергій Олександрович

Робота «Базові технології виробництва нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки» зосереджена на вирішенні ряду проблем у двох основних напрямках: оптоелектроніка та надвисокочастотна техніка.
В умовах поглиблення енергетичного голоду, вичерпання традиційних джерел енергії та значного зростання їх вартості надзвичайно актуальним є розробка та широке впровадження нетрадиційних джерел енергії, зокрема таких як сонячна фотоенергетика. Створення високоефективних перетворювачів сонячної енергії є можливим тільки при максимальному фотоелектричному перетворенні всього спектру сонячного випромінювання, яке досягає земної поверхні.
Вирішення проблеми досягається створенням багатошарових гетероструктур. Розроблення ПАТ «НВК «Наука» нанотехнологій виготовлення фотоелектричних перетворювачів дало можливість організувати вперше в Україні промислове виробництво фотоелектричних епітаксійних структур, а на їх основі концентраторних модулів сонячних батарей, конкурентоздатних на світовому ринку.
Значної економії електричної енергії можна досягнути також завдяки розробці та застосуванню високоефективних світодіодних джерел світла. Збільшення вихідної потужності світлодіодів потребує використання спеціальних технологій, таких як: прозора підкладка, створення дифузної структури поверхні, епітаксійних структур з видаленою підкладкою, застосування модуляційно-легованої активної області на основі квантових ям та ін. На основі цих структур може бути виготовлена широка номенклатура надяскравих світлодіодів (від інфрачервоної до ультрафіолетової ділянки спектру випромінювання світла) власного виробництва, що істотно розширить можливості вітчизняних приладобудівних підприємств.
НВЧ-прилади (діоди Гана, високовольтні швидкодіючі діоди та транзистори) широко застосовуються для конструювання радіоелектронної апаратури, яка використовується для контролю параметрів технологічних процесів, вимірювання переміщень, швидкостей, прискорень, напряму руху рухомих об'єктів, хімічного складу речовини, вологості, провідності, діелектричної проникності, товщини шарів металодіелектричних структур, а також в різноманітній навігаційній та медичній апаратурі. Створення таких приладів потребує застосування нової елементної бази – нанорозмірних епітаксійних напівпровідникових структур на основі А3В5, нові технологічні підходи для виготовлення яких також розроблено у даній роботі.
Таким чином, авторами виконано величезний обсяг робіт щодо теоретичного дослідження й розроблення оригінальних технологій, які були виконані в Україні вперше. Це дозволяє стверджувати, що робота «Базові технології виробництва нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки» заслуговує присудження Державної премії України в галузі науки й техніки за 2014рік.

Завідувач кафедри прикладної фізики
Національного технічного університету України
«Київський політехнічний інститут»
доктор технічних наук, професор
Воронов С.О.

Дружинін Анатолій Олександрович

Робота присвячена, без сумніву, актуальній тематиці - розробці та впровадженню новітніх високоефективних технологій виготовлення нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб виробництва елементної бази радіоелектроніки, світлодіодів, фотоелектричних перетворювачів тощо.
Одержані результати відкривають нові перспективи в галузі приладобудування, а створені прилади використовуються для потреб науки, промисловості, захисту природного середовища тощо.
Робота виконана на високому науково-технічному рівні, широко апробована і підтримана міжнародною науковою громадськістю. Вважаю, що робота “Базові технології виробництва нанорозмірних напівпровідникових епітаксійних структур для потреб радіоелектроніки” авторів Авксентьєва Ю.А., Ларкіна С.Ю., Круковського С.І., Бонковського Е.Л., Ваківа М.М., Костя Я.Я., Васіна А.В., Русавського А.В. заслуговує присудження Державної премії України в галузі науки і техніки за 2014р.

Завідувач кафедри напівпровідникової електроніки
Національного університету «Львівська політехніка»,
доктор технічних наук, професор, лауреат
Державної премії України в галузі науки і техніки
Дружинін А.О.

Залишити новий коментар

Вміст цього поля є приватним і не буде доступний широкому загалу.
CAPTCHA
Для запобігання від спаму, щоб залишити коментар введіть будь ласка символи,які зображені нижче. Дякуємо за розуміня.