Офіційний веб сайт

Цикл наукових праць «Новітні матеріали на основі оксиду цинку для створення пристроїв оптоелектроніки»

м18

Автори: Євтушенко А.І., к.ф.-м.н., Штеплюк І.І., к.ф.-м.н.

Представлений Інститутом проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України.

Цикл робіт складається з 93 публікацій.

 Авторами  досліджено закономірностівирощування, структурних, електронних, фононних та оптичних властивостей легованих плівок оксиду цинку та твердих розчинів на їх основі, необхідних для створення конкурентоспроможних і високоефективних пристроїв оптоелектроніки. Дослідження вирощених плівок і структур здійснювалося за допомогою цілого комплексу сучасних і високо-прецизійних експериментальних методик. Отримано низку нових фундаментальних результатів, які сприяють глибокому розумінню процесів росту плівок ZnO:(N, N-Al, Cd, Se) і структур на їх основі, особливостей зонної структури, природи механізмів випромінювальної рекомбінації.

Вперше для плівок на основі оксиду цинку встановлено кореляцію між часом життя випромінювальної рекомбінації і стехіометричним співвідношенням, досліджено механізми електрон-фононного розсіювання, виявлено позитивний ефект співлегування азотом і алюмінієм на фотоелектричні властивості фотоприймачів на їх основі.

Розроблено і досліджено тонкоплівкові високочутливі і швидкодіючі фотоприймачі на основі легованого азотом ZnO та діодні гетероструктури n-Zn1-xCdxO/p-SiC, n-ZnO/p-CdTe з підвищеними електричними характеристиками, які є перспективними для створення світловипромінюючих пристроїв видимого діапазону.

Одержані результати мають важливе практичне значення для реалізації та розвитку в Україні науково-технічної бази нових пристроїв оптоелектроніки. 

Кількість публікацій: 138, в т.ч. за темою роботи 93 (25 статей у міжнародних фахових журналах). Загальна кількість посилань на роботи авторів - 97 (згідно бази даних SCOPUS), h - індекс=6.