Офіційний веб сайт

Цикл наукових праць «Новітні матеріали на основі оксиду цинку для створення пристроїв оптоелектроніки»

м18

Автори: Євтушенко А.І., к.ф.-м.н., Штеплюк І.І., к.ф.-м.н.

Представлений Інститутом проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України.

Цикл робіт складається з 93 публікацій.

 Авторами  досліджено закономірностівирощування, структурних, електронних, фононних та оптичних властивостей легованих плівок оксиду цинку та твердих розчинів на їх основі, необхідних для створення конкурентоспроможних і високоефективних пристроїв оптоелектроніки. Дослідження вирощених плівок і структур здійснювалося за допомогою цілого комплексу сучасних і високо-прецизійних експериментальних методик. Отримано низку нових фундаментальних результатів, які сприяють глибокому розумінню процесів росту плівок ZnO:(N, N-Al, Cd, Se) і структур на їх основі, особливостей зонної структури, природи механізмів випромінювальної рекомбінації.

Вперше для плівок на основі оксиду цинку встановлено кореляцію між часом життя випромінювальної рекомбінації і стехіометричним співвідношенням, досліджено механізми електрон-фононного розсіювання, виявлено позитивний ефект співлегування азотом і алюмінієм на фотоелектричні властивості фотоприймачів на їх основі.

Розроблено і досліджено тонкоплівкові високочутливі і швидкодіючі фотоприймачі на основі легованого азотом ZnO та діодні гетероструктури n-Zn1-xCdxO/p-SiC, n-ZnO/p-CdTe з підвищеними електричними характеристиками, які є перспективними для створення світловипромінюючих пристроїв видимого діапазону.

Одержані результати мають важливе практичне значення для реалізації та розвитку в Україні науково-технічної бази нових пристроїв оптоелектроніки. 

Кількість публікацій: 138, в т.ч. за темою роботи 93 (25 статей у міжнародних фахових журналах). Загальна кількість посилань на роботи авторів - 97 (згідно бази даних SCOPUS), h - індекс=6.

Надіслати коментар

Коментарі

Канд. фізико-математичних наук Сафрюк Н.В.

Цикл наукових праць «Новітні матеріали на основі оксиду цинку для створення пристроїв оптоелектроніки» присвячений цікавим дослідженням в області матеріалознавства. Дана робота цінна тим, що крім ґрунтовного аналізу всіх характеристик плівок ZnO ці зразки були вирощені безпосередньо самими авторами. Результати даної праці є досить значними, про що свідчать високі індекси цитування їх праць. Багато цікавих результатів, таких як: вплив впровадження акцепторної домішки азоту на мікроструктуру та морфологію поверхні, їх оптичні властивості, хімічні та електронні стани; вплив технологічних параметрів магнетронного розпилювання на властивості твердих розчинів Zn1-xCdxO та визначення фоточутливості в ультрафіолетовій області спектра зі зростанням концентрації азоту в ZnO для фотодіодів на їх базі були отримані вперше. Автори роботи продемонстрували свій високий науковий рівень і безумовно заслуговують присудження премії Президента України для молодих вчених.

Канд. фізико-математичних наук,
н.с. Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова,
лауреат Премії Президента для молодих вчених 2013 року
Сафрюк Н.В.

Vitalii Ivanov, Doktorand, Kassel Universität

Last years a lot of attention is focused on thin films of ZnO. This material is very intresting for fundamental investigations and development of new optoelectronic devices. Therefore it is very interesting to obtain more information concerning properties of above mentioned material.
Presented work represent detailed investigation of growth conditions and properties of thin films of ZnO. Obtained results were published in the well known international physical jornals and could be very interesting for other scientists, who work in the same field. For my opinion, authors carried out greateful work, which can be awarded for the prize.

В. В. Хомяк, к.ф.-м.н, доцент ЧНУ ім. Ю. Федьковича

Представлений авторами Євтушенко А. І. та Штеплюком І.І. цикл наукових робіт пов'язаний з актуальними дослідженнями у напрямку оптимізаці технологічних умов вирощування високоякісних нелегованих та легованих плівок ZnO (альтернативних класичним нітридним матеріалам) та твердих розчинів на їх основі, які є перспективними матеріалами для створення різних оптоелектронних пристроїв. Проведені дослідження дали можливість авторам встановити функціональний взаємозв’язок між умовами вирощування плівок, кристалічною структурою, оптичними та електронними властивостями, механізмами випромінювальних рекомбінаційних процесів тощо. Комплекс цих досліджень дозволив їм отримати тонкоплівкові фотоприймачі на основі легованого азотом ZnO з підвищеними робочими характеристиками; інтенсивне випромінювання плівок у крайовій ультрафіолетовій області спектру, шляхом їх легування малими концентраціями ізовалентних домішок; діодні гетероструктури n-Zn1-xCdxO/p-SiC, які є перспективними для розробки світлодіодів видимого спектрального діапазону випромінювання; бар'єрні структури n-ZnO/p-CdO – перспективні для створення сонячних елементів і фотодіодів.
Безперечно, що одержані результати мають важливе практичне значення для створення нових оптоелектронних пристроїв.
Результати досліджень представлені у 138 публікаціях, включаючи 25 статей у високорейтингових міжнародних фахових журналах, що є підтвердженням актуальності та високого світового рівня отриманих результатів.
Вважаю, що автори циклу робіт "Новітні матеріали на основі оксиду цинку для створення пристроїв оптоелектроніки" Євтушенко А. І. та Штеплюк І.І. є сформованими висококваліфікованими науковцями і заслуговують присудження їм Премії Президента України для молодих вчених.

ІНМ НАНУ, к.т.н. Куцай О.М.

Комплексне дослідження легованих плівок оксиду цинку та твердих розчинів на їх основі дозволило авторам розглядуваного циклу робіт отримати та узагальнити низку нових фундаментальних наукових результатів, які сприяють глибокому розумінню впливу процесів росту на електрофізичні характеристики таких плівок, що визначають фотоелектричні властивості різних типів детекторних структур на їх основі. Реально практичне спрямування проведених досліджень для реалізації та розвитку в Україні науково-технічної бази нових пристроїв оптоелектроніки, зокрема в рамках пріоритетних напрямків розвитку науки і техніки «Нові матеріали і речовини» та «Енергетика та енергоефективність», виключно широка апробація отриманих результатів, які широко представлені авторами як в значній кількості публікацій у індексованих зарубіжних та вітчизняних наукових журналах, а також у великій кількості міжнародних конференцій, достовірно стверджують те, що автори циклу робіт «Новітні матеріали на основі оксиду цинку для створення пристроїв оптоелектроніки» гідні присудження Премії.

Samchuk R. PhD

Даний цикл наукових праць - «Новітні матеріали на основі оксиду цинку для створення пристроїв оптоелектроніки» безумовно заслуговує на присудження її авторам Премії Президента України для молодих вчених, оскільки дослідницький колектив на достойному науковому рівні вирішує надважливу проблему сьогодення - впровадження новітніх більш економічно доцільних енерго- та ресурсозберігаючих технологій та матеріалів. Позитивним є те, що в ході дослідження дослідники застосували комплексні підходи до дослідження структури, оптичних та фононних властивостей, морфології об’єму та поверхні, спектрів внутрішніх та валентних електронів в залежності від технологічних параметрів вирощування плівок ZnO та від рівня їх легування азотом, азотом з алюмінієм, кадмієм та селеном, що дозволило ним отримати тонкоплівкові фотоприймачі на основі легованого азотом ZnO з підвищеними робочими характеристиками та діодні гетероструктури n-Zn1-xCdxO/p-SiC, які є перспективними для розробки світлодіодів видимого діапазону спектра випромінювання. Зауважу, що одержані результати мають важливе практичне значення для реалізації та розвитку в Україні науково-технічної бази нових пристроїв оптоелектроніки. Перелік публікацій, що входять до циклу робіт засвідчив не лише ґрунтовний рівень дослідження його актуальність та важливість, а й широку географію представлення результатів даного дослідження як в Україні, так і поза її межами, що вкотре підтверджує загальне позитивне враження від даного циклу робіт та право його авторів претендувати на присудження їм Премії Президента України для молодих вчених.

О.Ю. Хижун, зав. від. ІПМ НАН України, д.ф.-м.н.

У циклі робіт "Новітні матеріали на основі оксиду цинку для створення пристроїв оптоелектроніки" (автори Євтушенко А.І. та Штеплюк І.І) представлені результати досліджень кристалоструктурних характеристик, оптичних та електричних властивостей, електронної структури тонких плівок ZnO (як чистих, так і легованих алюмінієм, кадмієм, азотом), котрі є дуже перспективними матеріалами для оптоелектроніки. У циклі робіт детально досліджена технологія отримання високоякісних тонких плівок на основі ZnO, а також вплив атомів допантів на люмінесцентні властивості плівок, особливості енергетичного розподілу електронних станів у валентній смузі. Авторами опубліковано цілу низку статей у високорейтингових міжнародних фахових журналах, що свідчить про новизну отримуваних результатів та високий кваліфікаційний рівень авторів.
На моє переконання, автори циклу робіт "Новітні матеріали на основі оксиду цинку для створення пристроїв оптоелектроніки" заслуговують присудження їм Премії Президента України для молодих вчених.

S. Kalytchuk, PhD, City University of Hong Kong

ZnO is a wide-bandgap semiconductor which has gained an unprecedented attention due to wide-ranging applications encompassing ultraviolet light emitters, spin functional devices, gas sensors, transparent electronics and surface acoustic wave devices.
The work nominated for the prize is systematical study of growth conditions on structural, electrical, phonon and optical properties of doped ZnO thin films, ZnO-based alloys and presented in 138 publications including 25 papers in internationals peer-reviewed journals. The research is a great contribution of young but talented scientists from Frantsevich Institute for Problems of Materials Science, NAS of Ukraine to the modern optoelectronics.

Colibaba G.V., PhD

Представленная серия работ, посвященная широкому классу материалов на основе оксида цинка и всестороннему изучению их свойств, представляет большой интерес как с точки зрения фундаментальных исследований полупроводниковых материалов, так и в качестве базы для получения новых конкурентно способных оптоэлектронных устройств. Направления исследований являются в данный момент актуальными во всем мире. Наличие широкого перечня публикаций, в которых соискатели премии представлены либо как первые авторы, либо как авторы корреспонденции, указывает на большой вклад этих молодых ученых в исследовательской работе по данной тематике, и говорит о достойности ими получения Премии Президента.

Colibaba G.V.
Assoc. prof., coord. researcher
Moldova Stat University
Department of Physics
Chisinau, Moldova

ІФН, к.ф.-м.н Брикса В.П.

Серія робіт присвячена удосконаленню існуючої технології по виготовленню тонких плівок ZnO та проведення їх легування з метою утворення гетероструктур на основі АІІВVI. Автори добилися суттєвого успіху при створенні плівок ZnO сильно легованих азотом. Ними було продемонстровано, що атоми N вбудовуються в ZnO саме як дефект заміщення, проте виникають сильні самокомпенсаційні ефекти, повязані з власними дифектами кристалічної решітки. Автори безумовно заслуговують бути визнані на державному рівні, як успішні дослідники і стати лауреатами Премії.

Асистент ЧНУ ім. Ю. Федьковича, к.т.н. Брус В.В.

Цикл наукових робіт "Новітні матеріали на основі оксиду цинку для створення пристроїв оптоелектроніки" є комплексним науковим дослідженням структурних, оптичних і електричних властивостей перспективних чистих та легованих тонких плівок ZnO і гетеропереходів на їх основі. Отримані результати представляють інтерес як для фундаментальних так і прикладних досліджень в області матеріалознавства і оптоелектроніки, відповідно. Детальні дослідження технологічних аспектів отримання тонких плівок оксиду цинку з різними оптичними та електричними властивостями плавно переходять у їх практичне застосування для виготовлення нових гетероструктурних оптоелектронних приладів. Чимало опублікованих статей у рейтингових міжнародних журналах, однозначно свідчать про високий науковий рівень, новизну та практичну цінність отриманих результатів в рамках розглянутої наукової роботи. Таким чином, цикл наукових праць "Новітні матеріали на основі оксиду цинку для створення пристроїв оптоелектроніки" заслуговує високої оцінки та визнання, а к.ф.-м.н. Євтушенко А.І. та к.ф.-м.н. Штеплюк І.І. достойні стати лауреатами престижної Премії Президента для молодих вчених.

Гість

Представленная работа посвящена изучению экспериментальными методами широкого ряда свойств полупроводниковых материалов на основе ZnO. Актуальность представленной работы не вызывает сомнений, учитывая исключительную перспективность для оптоэлектроники таких новых материалов как MgZnO, CdZnO, BeZnO вкупе с наблюдаемым в литературе явным недостатком экспериментальной информации об их физических свойствах. Более того, актуальность работы имеет место быть не только для развития научно-технической базы оптоэлектронных устройств на Украине, но и в мире в целом. Публикация результатов работ в таких журналах как APL, JAP и др. также подтверждают адекватность и актуальность полученных результатов. В связи с сказанным выше, считаю, что работа и ее авторы заслуживают присуждения Премии.

Подольская Н.И.
к.ф.-м.н.
научный сотрудник
Физико-технический Институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Межведомственный суперкомпьютерный центр Российской академии наук (Санкт-Петербургский филиал)

докторант ІПМЕ НАНУ, к.т.н. Артемчук В.О.

Представлений цикл наукових робіт пов'язаний з актуальними дослідженнями у напрямку оптоелектроніки та фотовольтаїки. Авторами було розроблено технологію вирощування плівок нелегованих та легованих плівок оксиду цинку і проведено фундаментальні дослідження їх властивостей. Хочу відмітити, що вперше було отримано цілий ряд нових результатів, які створюють передумови для повномасштабного впровадження оксиду цинку в напівпровідникову промисловість України. Роботи номінантів були опубліковані у високорейтингових іноземних журналах (Journal of Applied Physics, Applied Surface Science, Thin Solid Films, Solid-State Electronics) і є добре відомими світовому науковому співтовариству.
Вважаю, що робота “Новітні матеріали на основі оксиду цинку для створення пристроїв оптоелектроніки” представлена на здобуття Премії Президента для молодих вчених за своєю науковою новизною, обґрунтованістю основних положень, за фаховим аналізом матеріалу цілком відповідає високим вимогам до наукових робіт державного рівня, а її автори Євтушенко А.І. та Штеплюк І.І. заслуговують стати лауреатами Премії.

Залишити новий коментар

Вміст цього поля є приватним і не буде доступний широкому загалу.
CAPTCHA
Для запобігання від спаму, щоб залишити коментар введіть будь ласка символи,які зображені нижче. Дякуємо за розуміня.