Офіційний веб сайт

Фотоніка напівпровідникових і діелектричних наноструктур

р27

Представлено Інститутом електронної фізики НАН України.

Автори: Ажнюк Ю.М., Гомоннай О.В., Джаган В.М., Кучмій С.Я., Носич О.Й., Строюк О.Л.,Тарасов Г.Г., Юхимчук В.О.

Метою роботи є з'ясування механізмів самоіндукованого формування напівпровідникових (А4, А3В5) наноструктур; встановлення механізмів взаємодії між квантово-розмірними структурами та їх вплив на процеси випромінювальної рекомбінації; дослідження характеристик гібридних як за складом, так і за квантовим обмеженням наногетероструктур; вивчення динаміки міжфазного переносу носіїв заряду та характеру перебігу вторинних фотохімічних та фотокаталітичних процесів.

 Вивчено особливості зовнішніх впливів на різні типи наноструктур, побудовано теоретичні моделі для аналізу фундаментальних властивостей двовимірних мікролазерів довільної форми.

Авторами встановлено механізми впливу квантово-розмірного обмеження в наночастинках на взаємопов'язані фотофізичні і фотохімічні процеси. Виявлено різноманітні прояви розмірних явищ у фотоніці напівпровідникових наночастинок, проаналізовано їх вплив на процеси поглинання та випро-мінювання світла, динаміку фотогенерованих носіїв заряду, характер перебігу фотокаталітичних та фотоелектрохімічних процесів.

Створено основи нового міждисциплінарного напрямку – напівпровідникового нанофотокаталізу. Встановлено, що процес самоіндукованого формування наноострівців при епітаксії напружених гетероструктур на основі напівпровідників A4 та A3B5 тільки в першому наближенні описується механізмом Странського-Крастанова. Реально ж він ускладнюється інтенсивною поверхневою інтердифузією компонентів. Встановлено особливості взаємодії у гібридних (нуль-двовимірних) наногетероструктурах. З’ясовано особливості електронних і фононних станів композитів "діелектрична матриця+ансамбль квантових точок типу А2В6" та природу радіаційно індукованих змін.

Побудовано нові теоретичні моделі для аналізу фундаментальних властивостей двовимірних мікролазерів довільної форми. Вперше на основі методу парних інтегральних рівнянь досліджено ефект Парсела. Ряд запропонованих застосувань не мають аналогів в Україні, а деякі випереджають за техніко-економічними показниками зарубіжні аналоги.

Кількість публікацій: 261, в т.ч. 9 монографій і розділів у колективних монографіях, 219 статей (214 – у зарубіжних виданнях). Загальна кількість посилань на публікації авторів складає 3465 (згідно з базою даних Scopus), h- індекс = 34 та 4318 (згідно з базою даних Google Scholar), h - індекс = 39. Новизну та конкурентоспроможність технічних рішень захищено 31 патентами та авторськими свідоцтвами. За даною тематикою захищено 5 докторських та 18 кандидатських дисертацій.

Громадське обговорення роботи відбулося 17 листопада 2016 року о 14.30 годині на  розширеному засіданні Вченої ради  Інституту фізики НАН України за адресою: Київ, проспект Науки, 46.

Матеріали громадського обговорення знаходяться в Секретаріаті Комітету.