Офіційний веб сайт

Нові механізми електронного транспорту в приладових структурах та омічних контактах на основі широкозонних напівпровідників

М92

 

Автори: Коротєєв В.В., к.ф.-м.н., Кудрик Я.Я., к.т.н., Шеремет В.М., к.ф.-м.н., Шинкаренко В.В., к.ф.-м.н.

 

Представлена Інститутом фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.

 

Створено основи теорії баллістичного електронного транспорту в коротких n+-n(i)-n+діодних структурах. Запропоновано нову концепцію струмопереносу в омічних контактах до приладових структур на основі широкозонних напівпровідників з високою щільністю дислокацій, в тому числі GaN.

Отримано пріоритетні результати по елементарним методам збудження та генерації терагерцового випромінювання в коротких діодах; природі аномальної провідності в омічних контактах до сильнолегованих напівпровідників з високою щільністю дислокацій; радіаційній стійкості МДН структур з high-kдіелектриком.

Запропоновано нові підходи до конструювання короткобазових діодів на основі GaNна діапазон 0,5-2 ТГц, до створення термостійких контактних систем; розробки автоматизованих засобів діагностики мікрохвильових діодів та контактних систем до них; атермічних методів гетерування.

Авторами здійснено постановку нових нетрадиційних задач в області розрахунку та конструювання нітридгалієвих діодів терагерцового діапазону та створення високонадійних контактних систем до широкого набору мікрохвильових активних елементів.

 

Кількість публікацій: 198,в т.ч. за темою роботи37 статей (13 в зарубіжних виданнях), 9 тез доповідей, сумарна кількість посилань на публікації авторів 33 (згідно бази даних SCOPUS), h-індекс=2.