Офіційний веб сайт

Розробка фізичних основ конструктивно-технологічних рішень новітніх приладів оптоелектроніки

м92

Автори: Кіріченко М.В., к.т.н., Федорін І.В., к.ф.-м.н., Зайцев Р.В., к.т.н.

Представлена Національним технічним університетом «Харківський політехнічний інститут»

Метою роботи є розробка фундаментальних фізико-технологічних основ нових конструктивно-технологічних рішень вітчизняних монокристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) для підвищення їх ККД при одночасному зниженні вартості таких ФЕП та теоретичний опис властивостей нових шаруватих метаматеріалів, які можуть бути використані в конструкції сучасних сонячних елементів та інших приладах мікро- та наноелектроніки.

Продемонстровано можливість підвищення ККД багатоперехідних Si-ФЕП з вертикальними діодними комірками нової генерації за рахунок зниження залежності вихідних параметрів приладу такого типу від кута надходження світла до його фотоприймальної поверхні, що забезпечується введенням уздовж вертикальних границь сполучення діодних комірок багатоперехідних Si-ФЕП одношарових рефлекторів з електропровідного n+-ITO товщиною більше 1 мкм.

Показано, що специфічність штучної періодичної напівпровідникової структури у магнітному полі дозволяє ефективно впливати на спектральні властивості такого матеріалу магнітним полем та товщинами шарів.

Розроблено, виготовлено і запатентовано в Україні універсальний світлодіодний освітлювач, який дає можливість швидко та маловитратно проводити атестацію монокристалічних Si ФЕП.

Обґрунтовано можливість ефективного управління оптичними властивостями напівпровідникового періодичного метаматеріалу, що дає змогу використовувати розглянуті структури як Брегівські дзеркала, антивідбиваючі покриття, фотоелектричні елементи.

Кількість публікацій: 77, в т.ч. за темою роботи – 35. Загальна кількість посилань на публікації авторів складає 15 (згідно баз даних Scopus), h-індекс =3.