Офіційний веб сайт

Розробка фізичних основ конструктивно-технологічних рішень новітніх приладів оптоелектроніки

м92

Автори: Кіріченко М.В., к.т.н., Федорін І.В., к.ф.-м.н., Зайцев Р.В., к.т.н.

Представлена Національним технічним університетом «Харківський політехнічний інститут»

Метою роботи є розробка фундаментальних фізико-технологічних основ нових конструктивно-технологічних рішень вітчизняних монокристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) для підвищення їх ККД при одночасному зниженні вартості таких ФЕП та теоретичний опис властивостей нових шаруватих метаматеріалів, які можуть бути використані в конструкції сучасних сонячних елементів та інших приладах мікро- та наноелектроніки.

Продемонстровано можливість підвищення ККД багатоперехідних Si-ФЕП з вертикальними діодними комірками нової генерації за рахунок зниження залежності вихідних параметрів приладу такого типу від кута надходження світла до його фотоприймальної поверхні, що забезпечується введенням уздовж вертикальних границь сполучення діодних комірок багатоперехідних Si-ФЕП одношарових рефлекторів з електропровідного n+-ITO товщиною більше 1 мкм.

Показано, що специфічність штучної періодичної напівпровідникової структури у магнітному полі дозволяє ефективно впливати на спектральні властивості такого матеріалу магнітним полем та товщинами шарів.

Розроблено, виготовлено і запатентовано в Україні універсальний світлодіодний освітлювач, який дає можливість швидко та маловитратно проводити атестацію монокристалічних Si ФЕП.

Обґрунтовано можливість ефективного управління оптичними властивостями напівпровідникового періодичного метаматеріалу, що дає змогу використовувати розглянуті структури як Брегівські дзеркала, антивідбиваючі покриття, фотоелектричні елементи.

Кількість публікацій: 77, в т.ч. за темою роботи – 35. Загальна кількість посилань на публікації авторів складає 15 (згідно баз даних Scopus), h-індекс =3.

Надіслати коментар

Коментарі

Чугай О.Н.

Представленная коллективом молодых ученых работа имеет комплексный характер и посвящена усовершенствованию конструктивно-технологического решения и методов аттестации солнечных элементов на основе монокристаллического кремния. Такие элементы, благодаря высокой надежности и эффективности работы, составляют значительную часть мирового рынка гелиоэнергетических установок. Этим обуславливается актуальность выполненных в работе исследований. Основным результатом указанной работы является разработка новых конструктивно-технологических решений для создания солнечных элементов на основе монокристаллического кремния с повышенной технико-экономической эффективностью, что обеспечивает важный вклад ее результатов в современную прикладную физику.
Поэтому, основываясь на содержании аннотации данной работы, считаю, что коллектив авторов заслуживает присуждения премии президента Украины для молодых ученых.

Чугай О.Н.
доктор технических наук, профессор,
профессор кафедры физики,
Национальный аэрокосмический университет имени М. Є. Жуковского
«Харьковский авиационный институт» МОН Украины,

Елисеева С.В.

На сегодняшний день необходимость поиска альтернативных видов энергии для обеспечения национальной безопасности стран находится в центре внимания мирового сообщества. Развитие возобновляемых источников энергии и использование данных энергоносителей на постоянной основе многие страны считают ключом к преодолению мирового финансового кризиса и обеспечению устойчивого развития.

В работе авторов решена важная научно-практическая задачу физики твердого тела - разработаны фундаментальные физико-технологические основы новых конструктивно-технологических решений монокристаллических Si-ФЭП широкомасштабного применения для повышения их КПД при одновременном снижении стоимости таких Si ФЭП.

Данная работа объединяет теоретические и экспериментальные исследования в области создания и улучшения конструкции современных солнечных фото-преобразователей. Уровень работы подтверждается большим количеством публикаций в рейтинговых иностранных журналах и трудах международных конференций.

В связи с вышеизложенным считаю, что работа подготовлена на высоком научно-техническом уровне, а её авторы заслуживают присуждения премии Президента Украины для молодых ученых.

Елисеева С.В., к.ф.-м.н., ст.преп., Россия, Ульяновский госуниверситет

Губін С.В.

Робота Кіріченко М.В., Федоріна І.В., Зайцева Р.В., “Розробка фізичних основ конструктивно-технологічних рішень новітніх приладів оптоелектроніки” присвячена актуальній проблемі сьогодення - отриманню недорогої екологічно чистої енергії. Хоч перелік матеріалів і структур, які використовують для фотоелектронного перетворення сонячної енергії постійно розширюється, провідне місце в ньому вже тривалий період належить різним модифікаціям кремнію, в тому числі монокристалічному. Перспективним також є розгляд властивостей нових шаруватих метаматеріалів, які можуть бути використані в конструкції сучасних сонячних елементів та інших приладах мікро- та наноелектроніки.
Робота колективу молодих науковців, яка розв’язує важливі задачі по розробці фізико-технологічних основ нових конструктивних реалізацій сонячних елементів та пристроїв оптоелектроніки і продовжує добрі наукові традиції харківських науковців в галузі створення і дослідження приладів оптоелектроніки, є, безперечно, актуальною. Авторам вдалось комплексом експериментальних методів та методом математичного моделювання встановити граничні параметри кремнієвих сонячних елементів удосконаленої конструкції, запропонувати ряд нових засобів атестації як вихідних матеріалів, так і сонячних елементів на їх основі, створити оптимізовані системи захоплення і утримування світла і намітити шляхи досягнення максимальних теоретично можливих значень ККД. Показано можливість ефективного впливу на спектральні властивості багатошарового мета матеріалу варіюванням величини зовнішнього магнітного поля та товщиною шарів.
В цілому, судячи з реферату роботи та переліку публікацій, які ґрунтовно представлені у фахових виданнях, в тому числі у індексованих у базі даних SCOPUS, Кіріченко М.В., Федорін І.В., Зайцев Р.В., заслуговують на присудження Премії Президента України для молодих вчених.

Губін С.В., к.т.н.,
Завідувач кафедри Космічної техніки та нетрадиційних джерел енергії
Національного аерокосмічного університету ім. М. Є. Жуковського «ХАІ»

Критська Т.В.

Фотоелектричні перетворювачі (ФЕП) сонячної енергії на базі монокристалічного кремнію в наш час знайшли широке застосування, про що свідчить той факт, що їх випуск складає 40% об’єму світового виготовлення всіх сонячних перетворювачів. Для збільшення ККД серійних вітчизняних ФЕП потрібна суттєва модернізація їх конструкції, оптимізація характеристик базового шару та контактних і допоміжних шарів, розробка принципово нових варіантів будови сонячних елементів. Тому робота колективу авторів, яка присвячена розробці фізико-технологічних основ нових конструктивно-технологічних рішень вітчизняних монокристалічних фотоперетворювачів сонячної енергії на основі монокристалічного кремнію та методів атестації базових кристалів та готових виробів є актуальною.
Як свідчить з анотації, дана комплексна робота виконана на високому науково-методичному рівні. Достовірність отриманих результатів забезпечена вмілим використанням модельних розрахунків та їх порівнянням з експериментальними даними. Слід зазначити, що матеріали роботи широко висвітлені у наукових працях у тому числі у журналах, що входять до бази даних SCOPUS.
Вважаю, що колектив авторів комплексної роботи заслуговує присудження премії Президента України для молодих вчених.

Критська Т.В.,
доктор технічних наук, професор,
завідувач кафедри електронних систем
Запорізька державна інженерна академія МОН України

Галуза А.А

Актуальність теми цієї роботи пов’язана із необхідністю пошуку нових джерел електроенергії, які б не шкодили екології та були практично невичерпними. До такого класу можна віднести фотоелектричні перетворювачі (ФЕП) на основі кремнієвих структур, пошуку нових конструктивних рішень, зокрема із використанням багатошарових сполук – мета матеріалів, присвячена дана робота.
Автори ґрунтовно дослідили процеси обробки поверхні кремнію шляхом глибокого хімічного травлення, формування текстури фотоприймальної поверхні базових кристалів кремнію, виконали серію оптичних досліджень. Теоретично була показана можливість ефективного управління оптичними властивостями напівпровідникового періодичного метаматеріалу, що дає змогу використовувати розглянуті структури як Брегівські дзеркала, антивідбиваючі покриття, фотоелектричні елементи.
Практична цінність роботи обумовлена розробкою універсального світлодіодного освітлювача, який дає можливість проводити атестацію ФЕП широкомасштабного застосування за фотострумом, електронними, діодними та вихідними параметрами. Створено ряд експериментальних методик, які дають можливість комплексно атестувати ФЕП та їх базові кристали.
Результати роботи широко представлені у фахових періодичних наукових виданнях, зокрема у тих, що входять до наукометричної бази даних SCOPUS, робота виконувалася у рамках державних та міжнародних науково-технічних програм.
Вважаю, що робота Кіріченко М.В., Федоріна І.В., Зайцева Р.В., “Розробка фізичних основ конструктивно-технологічних рішень новітніх приладів оптоелектроніки” є актуальною, а її автори заслуговують на присудження Премії Президента України для молодих вчених.

Галуза А.А,
д.ф.-м.н., провідний науковий співробітник
Інституту електрофізики та радіаційних технологій НАН України

Іващук А.В.

У сучасній енергетиці фотоелектричні перетворювачі (ФЕП) сонячної енергії знайшли широке використання і потреба в них безперервно зростає. Це визначає необхідність розробки наукових і технологічних основ підвищення ККД та зниження вартості ФЕП і пошуку принципово нових шляхів для створення високоефективних фотоенергетичних установок. Робота, що подається на здобуття премії, присвячена розробці таких основ у разі використання нових конструкцій ФЕП та багатошарових композицій – метаматеріалів. Саме тому актуальність теми не викликає сумніву.
Судячи з реферату, авторами виконано великий обсяг як експериментальних робіт так і математичного моделювання. В процесі виконання цих досліджень була отримана низка результатів, важливих як з фундаментальної, так і з практичної точки зору. Ними удосконалено і модернізовано методи атестації кремнієвих фотоелектричних перетворювачів і створено нове обладнання, необхідне для цього. Проведеними дослідженнями закладено фізико-технологічні основи підвищення ККД при використанні нових конструкцій ФЕП та теоретичні основи використання мета матеріалів для створення приладів оптоелектроніки. Одержані в роботі результати, безумовно, мають важливе практичне значення.
Наукові результати, викладені у рефераті та відомі з публікацій авторів у реферованих фахових журналах та з виступів на міжнародних конференціях, свідчать про те, що робота відповідає високому рівню. Враховуючи вищесказане, вважаю, що за актуальністю, новизною, науковим рівнем та практичним значенням результатів, робота заслуговує присудження Премії Президента України молодим вченим.

Іващук А.В.,к.т.н.,
Заступник директора центру нанотехнології та наноелектроніки
Національного технічного університету
«Київський політехнічний інститут»

Власенко В.С., к.ф.-м.н.

Дуже актуальна робота, враховуючи в якій енергетичній ситуації зараз знаходиться наша країна. Вона безперечно заслуговує на присудження премії та потребує подальшої активної роботи. Авторам хочеться побажати продовжувати свої актуальні дослідження.

Опанасюк А.С.

Робота Кіріченка М.В., Федоріна І.В. та Зайцева Р.В. присвячена розробці фізичних основ конструктивно-технологічних рішень нових приладів оптоелектроніки, зокрема фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії та перспективних приладів на основі багатошарових періодичних структур - метаматеріалів. В умовах України, яка суттєво обмежена у запасах викопних енергоресурсів, такі дослідження є особливо актуальними. З анотації роботи свідчить, що вдале поєднання теоретичних розрахунків та прикладних результатів дозволили успішно вирішити задачі, що стосуються підвищення техніко-економічної ефективності вітчизняних фотоелектричних перетворювачів на основі монокристалічного кремнію та можливості ефективного управління оптичними властивостями напівпровідникового періодичного метаматеріалу. Успішне вирішення поставлених у роботі задач було в значній мірі забезпечено проведеною суттєвою модернізацією комплексу обладнання і методів атестації фотоелектричних перетворювачів.
Виходячи із усього зазначеного вище вважаю, що тема роботи Кіріченка М.В., Федоріна І.В. та Зайцева Р.В. є безумовно актуальною, а результати роботи «Розробка фізичних основ конструктивно-технологічних рішень новітніх приладів оптоелектроніки» є важливими для розвитку сучасної науки і мають високу практичну та теоретичну цінність. Вважаю, що автори заслуговують присудження Премії Президента України для молодих вчених.

Завідувач кафедри електроніки і
комп’ютерної техніки
Сумського державного університету,
д.ф.-м.н, проф. Опанасюк А.С.

В.Ф. Клепіков

Наукова робота колективу авторів присвячена удосконаленню конструктивно-технологічних рішень фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії на основі монокристалічного кремнію які завдяки, в першу чергу, високій надійності роботи та незважаючи на серйозну конкуренцію з боку аналогічних приладів на основі тонкоплівкових структур на цей час продовжують займаюти близько 40 % світового ринку геліоенергетичних установок. В умовах України, яка суттєво обмежена у запасах викопних енергоресурсів, такі дослідження є особливо актуальними. Анотація даной роботи свідчить про її фундаментальниий характер та велике прикладне значення її основних результатів, а саме, розробки нових конструктивно-технологічних рішень для підвищення техніко-економічної ефективності вітчизняних фотоелектричних перетворювачів на основі монокристалічного кремнію. Успішне проведення виконавцями модернізації комплексу обладнання і методів атестації фотоелектричних перетворювачів на основі монокристалічного кремнію та їх базових кристалів та вдале поєднання застосування високотехнологічного обладнання й сучасних програмних продуктів для математичного моделювання параметрів фотоелектричних перетворювачів та періодичних структур обумовлює її практичну значимість.
Спираючись на це вважаю що робота заслуговує присудження премії Президента України для молодих вчених.

В.Ф. Клепіков,
д. ф.-м. н., професор,
Директор Інституту електрофізики та
радіаційних технологій НАН України,
член-кореспондент НАН України,
заслужений діяч науки і техніки України

Жиляков А.С.

Представлена робота спрямована на розробку нових конструкцій приладів оптоелектроніки, зокрема фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії і тому, з урахуванням теперішньої ситуації щодо енергетичної безпеки України є вкрай актуальною. Широкий спектр публікацій свідчить про грунтовний підхід авторів до виконання практичниої та теоретичної частини роботи.
Вважаю, що автори роботи зааслуговують на присудження Премії Президента України для молодих науковців.

Витовтов К.А.

Згідно з реалістичними науково і економічно обґрунтованими прогнозами вже на початок 2050 року не менше 20 % світового виробництва електроенергії має забезпечуватись за рахунок найбільш ефективних способів перетворення енергії сонячного випромінювання.
Розробка фізико-технологічних основ подальшого удосконалювання вітчизняних монокристалічних Si-ФЕП, визначення умов найбільш ефективного використання є вкрай актуальними. До цього переліку належить також дослідження можливостей ефективного використання Si-ФЕП за новим призначенням, а саме – як сенсорів сучасних систем оптичної локації, зважаючи, наприклад, на потенційну здатність Si-ФЕП виконувати відповідні функції таких сенсорів без використання додаткового джерела живлення та при суттєво спрощеній схемі реєстрації вихідного корисного сигналу.
Поряд з акцентованим вище ефективність фото перетворення залежить перш за все від оптичних та електродинамічних властивостей матеріалів, які складають ФЕП. Одним з основних способів збільшення ККД є розробка ФЕП, які прозорі у довгохвильовій області сонячного спектру за краєм смуги поглинання та використання багатофункціональних оптичних покриттів, що забезпечують просвітлення, терморегулювання та захист ФЕП від космічного пилу. Тому актуальним є пошук та створення штучних матеріалів, які зможуть задовольняти поставленим вимогам.
Робота авторів направлена на вирішення вказаних задач, та вдало поєднує експериментальні та теоретичні дослідження.
Виходячи з цього, вважаю, що результати роботи є важливими для розвитку сучасної науки і мають високу практичну та теоретичну цінність, а автори заслуговують присудження премії Президента України для молодих вчених.

Доцент, кандидат фізико-математичних наук, Витовтов К.А.

С.І. Тарапов

Освоєння найбільш ефективних способів використання найважливішої складової національного багатства України – сонячної енергії – набуває з кожним роком все більшої значимості у зв'язку зі стратегічним завданням надійного забезпечення енергонезалежності нашої держави. Загальновизнаним ключовим способом її вирішення є фотоелектричне перетворення енергії сонячного випромінювання, однак техніко-економічні характеристики вітчизняних монокристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів, що серійно випускаються, ще далеко не повною мірою адекватні висунутим до них вимогам. Крім того, особливо перспективним є вивчення можливості використання у конструкції сонячних елементів та інших приладів мікроелектроніки нових штучних шаруватих матеріалів, властивостями яких можна управляти як технологією їх отримання так і впливом зовнішніх електричних і магнітних полів.
Робота М.В. Кіріченка, І.В. Федоріна та Р.В. Зайцева є своєчасною реакцією на зазначену проблему, оскільки виконана з метою розробки фізико-технологічних основ нових конструктивно-технологічних рішень вітчизняних монокристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів, що мають підвищений ККД при знижених витратах напівпровідникового матеріалу та енергії на виготовлення таких приладів.
Виходячи з усього викладеного вище вважаю, що робота М.В Кіріченка, І.В. Федоріна та Р.В. Зайцева за обсягом, якістю, науковою новизною та практичним значенням повністю відповідають рівню роботи, яка заслуговує на присвоєння премії Президента України для молодих вчених.
Письмова копія відгуку була направлена до комітету.

д.ф.-м.н., професор, зав.відділом радіоспектроскопії ІРЕ НАНУ ім О.Я. Усикова, С.І. Тарапов

Скришевський В.А.

Бурхливий прогрес у мікро та наноелектроніці та грандіозні проекти розвитку інформаційних технологій та альтернативної енергетики останнім часом усе більше зіштовхуються із проблемою існування фундаментальних обмежень швидкодії та ефективності напівпровідникових пристроїв. У науковій роботі Кіріченка М.В., Федоріна І.В. та Зайцева Р.В. використано комплексний підхід, спрямований на вирішення вказаної проблеми як за рахунок вдосконалення існуючих конструктивно-технологічних рішень та методів атестації оптоелектронних приладів так і шляхом впровадження у їх конструкцію штучних періодичних анізотропних структур.
Як випливає з роботи Кіріченка М.В., Федоріна І.В. та Зайцева Р.В., їй притаманні всі ознаки саме такої спрямованості, оскільки основні результати цієї ґрунтовної роботи завдяки їх фундаментальному характеру та суттєвому прикладному значенню є належним внеском як у сучасну фізику твердого тіла, так і в рішення задачі підвищення техніко-економічної ефективності створюваних в Україні оптоелектронних приладів, зокрема, монокристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів широкомасштабного застосування. Проведені аналітичні і чисельні дослідження дисперсійних залежностей та спектрів пропускання дрібношарових метаматеріалів відкривають якісно нові можливості для використання таких штучних матеріалів в якості складових елементів у фотоелектричних перетворювачах та в інших пристроях мікро- та наноелектроніки. Здійснена при виконанні роботи модернізація комплексу обладнання і методів атестації таких приладів та їх базових кристалів є вкрай необхідною для досягнення мети, сформульованої авторами, і корисною для впровадження іншими дослідниками, а також виробниками вітчизняних фотоелектричних перетворювачів на основі монокристалічного кремнію. Тому, безумовно, тема роботи Кіріченка М.В., Федоріна І.В. та Зайцева Р.В. є актуальною, а її зміст відповідає рівню роботи, що заслуговує присудження премії Президента України для молодих вчених.
На мій погляд, наукова новизна і практичне значення ключових результатів, одержаних авторами при виконанні цієї роботи, не викликають жодного сумніву, а положення роботи є надійно експериментально і аналітично обґрунтованими. Цьому в належній мірі сприяло вдале поєднання авторами нових експериментальних методик дослідження оптоелектронних приладів та математичного моделювання параметрів дрібно шарових метаматеріалів.

В.А. Скришевський,
д. ф.-м. н., професор,
Завідувач кафедрою нанофізики
конденсованих середовищ,
Інституту високих технологій
Київського національного університету
ім. Т.Г. Шевченка

Е. Вдовиченко

В последнее время в связи с обострившимися экологическими проблемами и осознанной необходимостью энергосбережения, во всём мире все больше внимания уделяется использованию возобновляемой энергии, например солнечной энергии.
В Украине очень большой потенциал для развития солнечной энергетики. В стране довольно широкий пояс высокого уровня иррадиации - зоны, где энергия излучения солнца достаточна для эффективного функционирования гелиостанций.Например в Германии, лидере по производству такой энергии в Европе, природные возможности намного хуже.
Особо актуальным является исследования направленные на совершенствование отечественных солнечных преобразователей и создание новых материаловЮ, которые бы способствовали увеличение КПД солнечных преобразователей.
В связи с этим, считаю, что работа в полной мере соответствует высоким требованиям, предъявляемым работам на соискание премии Президента Украины, а её авторы заслуживают присуждения данной государственной награды.
Е.И. Вдовиченко, к.т.н., ведущий инженер-програмист.

Клюй М.І.

За результатами роботи, що подається на здобуття премії Президента України, авторами було захищено кандидатські дисертації, що є підтвердженням наукової новизни отриманих результатів та актуальності проведених розрахунків.
Наукова праця авторів є, безумовно, актуальною і продиктована вимогами сучасної науки і техніки. Проблеми енергозбереження та розробки нових енергозберігаючих технологій, удосконалення конструкції і фізичних засад сучасних пристроїв оптоелектроніки, якими є сонячні фотоперетворювачі – це загальносвітова тенденція, до якої залучається все більше груп вчених і розробників. Крім того, останнім часом дуже інтенсивно розвивається фізика композитних фотонно-кристалічних структур, які штучно створюються на основі різних однорідних матеріалів. У таких структурах можлива ефективна реалізація управління електродинамічними властивостями, що відкриває великі перспективи їх практичного застосування в різних пристроях мікро- та наноелектроніки.
Роботи авторів написані на високому рівні, що підтверджується публікаціями у провідних фахових українських і зарубіжних журналах і конференціях. Виходячи з цього, вважаю, що результати роботи «Розробка фізичних основ конструктивно-технологічних рішень новітніх приладів оптоелектроніки» є важливими для розвитку сучасної науки і мають високу практичну та теоретичну цінність, а автори заслуговують присудження премії Президента України для молодих вчених.

Клюй М.І.,
д. ф.-м. н., професор,
Керівник лабораторії нетрадиційних
та відновлювальних джерел енергії
Інституту фізики напівпровідників
ім. В.Є. Лашкарьова НАН України

Клименко А.С., к.т.н., научный сотрудник НТУУ "КПИ"

Авторы представленной работы достаточно давно и плодотворно работают в данном направлении, что подтверждается многочисленными публикациями и докладами на научных конференциях. В проблематике работы, связанной с альтернативными источниками энергии, они являются одними из передовых исследователей и заслуживают на присуждение премии Президента Украины.

Мележик Є.

Фотоелектричні перетворювачі сонячної енергії, як прилади оптоелектроніки, зокрема на основі монокристалічного кремнію, розробці фізичних основ для конструктивних рішень якихприсвячена робота колективу авторів, є вагомою перспективною альтернативою іншим відновлюваним джерелам енергії. На зламі ХХ і ХХІ віків дослідження з підвищення ефективності роботи цих приладів при зниженні їх вартості та з удосконалення методів їх атестації замість суто наукового характеру набули чинності незамінних для геліофотоенергетики. Як випливає з анотації основні результати цієї ґрунтовної роботи завдяки їх фундаментальному характеру, суттєвому прикладному значенню та поєднанню еспкриментальних досліджень з математичним моделюванням багатошарових структур є належним внеском у сучасну фізику твердого тіла стосовно теоретико-експериментального обґрунтування нових конструктивно-технологічних рішень для підвищення техніко-економічної ефективності створюваних в Україні новітніх приадів оптоелектроніки, зокрема фотоелектричних перетворювачів широкомасштабного застосування. Здійснена крім того при виконанні роботи модернізація комплексу обладнання і методів атестації таких приладів та їх базових кристалів є вкрай необхідною для досягнення мети, сформульованої дисертантом, і корисною для впровадження іншими дослідниками, а також виробниками вітчизняних фотоелектричних перетворювачів на основі монокристалічного кремнію.
На мій погляд, не викликають жодного сумніву наукова новизна і практичне значення ключових результатів, одержаних колективом авторів, а сама робота заслуговує присудження премії Президента України для молодих вчених.

Мележик Є., к.т.н., н.с. Інститута фізики напівпровдників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України

Сахненко Н.К.

Одной из наиболее актуальных проблем современной украинской экономики является острая зависимость от дорогостоящих зарубежных энергоносителей и сырьевая направленность развития промышленности страны, что подвергает опасности целостность и независимость государства. Данная работа направлена на решение данных проблем путем стимулирования использования возобновляемых источников энергии, в частности, солнечных преобразователей, и создания (построения теории) новых искусственных метаматериалов, которые находят широкое применение в высокотехнологичных областях экономики: опто-, микро- и наноэлектронике.
Поэтому, на мой взгляд, данная работа актуальна, её авторы, как молодые ученые, справились с поставленной задачей и заслуживают присуждения премии Президента для молодых ученых.

Сахненко Н. К., доктор физико-математических наук, доцент,
Харьковский национальный университет радиоэлектроники

Шрамкова О.В.

На протяжении сотен лет человечество использует ископаемые углеводороды для добычи энергии. Результатом этого стал тревожный ряд проблем энергетического и экологического сектора, заметно обострившихся в последнее время. Одним из подходов для их решения, является широкое использование источников возобновляемой энергии, в частности солнечной энергии. Вместе с тем, очень важно, что научные достижения в этой сфере способствуют развитию областей микро- и наноэлектроники, а также информационных технологий. Так, использование искусственных материалов, например, искусственных периодических структур и других видов метаматериалов, позволяет существенно повысить быстродействие полупроводниковых устройств за счет устранения принципиальных ограничений. В этой связи ведущие мировые исследовательские группы проводят фундаментальные исследования различных свойств таких материалов.
Ценность представленной научной работы заключается в сочетании качественного эксперимента и математического моделирования свойств фотопреобразователей, основанных на новых конструктивно-технологических решениях. Авторы работы приводят теоретические расчеты нового материала, перспективного для создания новейших устройств оптоэлектроники, в том числе и солнечных фотопреобразователей.
Сказанное выше позволяет сделать вывод о том, что предложенная работа является актуальной и заслуживает присуждения премии Президента Украины.

Шрамкова О. В., старший научный сотрудник, кандидат физ.-мат. наук,
старший научный сотрудник Королевского университета Белфаста, Северная Ирландия

Ільєнко К. В.

Наукова праця авторів є, безумовно, актуальною і продиктована вимогами сучасної науки і техніки. Проблеми енергозбереження та розробки нових енергозберігаючих технологій, удосконалення конструкції і фізичних засад сучасних пристроїв оптоелектроніки, якими є сонячні фотоперетворювачі – це загальносвітова тенденція, до якої залучається все більше груп вчених і розробників. Крім того, останнім часом дуже інтенсивно розвивається фізика композитних фотонно-кристалічних структур, які штучно створюються на основі різних однорідних матеріалів. У таких структурах можлива ефективна реалізація управління електродинамічними властивостями, що відкриває великі перспективи їх практичного застосування в різних пристроях мікро- та наноелектроніки.
Роботи авторів написані на високому рівні, що підтверджується публікаціями у провідних фахових українських і зарубіжних журналах і конференціях. Виходячи з цього, вважаю, що автори заслуговують присудження премії Президента України для молодих вчених.

Костянтин Ільєнко, Фулбрайт професор-візітор, Університет Нью Мексико, Нью Мексико, США;
доктор філософії (математична та теоретична фізика) Оксфордського університету, Велика Британія;
старший науковий співробітник, кандидат фіз.-мат. наук (ВАК України)

Булгаков А.А.

Работа, представленная авторами на соискание премии президента Украины для молодых ученых, является особо актуальной в свете стремлений Украины и всего мирового сообщества к приобретению максимально возможного уровня энергонезависимости наряду с экономической эффективностью. В данной работе проводится комплексный анализ по разработке качественно более современных физико-технических основ усовершенствования отечественных монокристаллических кремниевых фотопреобразователей, а также определение условий наиболее эффективного использования последних. Отличительной особенностью данного труда является гармоническое переплетение экспериментальных, теоретических исследований, а также современного компьютерного моделирования, что выводит работу на европейский уровень, что подтверждено целым рядом выступлений на международных конференциях, а также публикаций, как на Украине, так и в Европе, России. В связи с этим, считаю, что работа в полной мере соответствует высоким требованиям, предъявляемым работам на соискание премии Президента Украины, а её авторы заслуживают присуждения данной государственной награды

Булгаков А.А.,
д.ф.-м.н., проф.
с.н.с. Института радиофизики и электроники им. А.Я.Усикова НАН Украины,

Залишити новий коментар

Вміст цього поля є приватним і не буде доступний широкому загалу.
CAPTCHA
Для запобігання від спаму, щоб залишити коментар введіть будь ласка символи,які зображені нижче. Дякуємо за розуміня.