Офіційний веб сайт

Розробка та оптимізація вакуумно-технологічного обладнання, технологій синтезу і дослідження функціональних наноструктур

М32

 

Автори:  Дерев’янко А.В. , к.т.н., Рафальський Д.В., к.ф.-м.н., Стєрвоєдов А.М., к.т.н., Сухов Р.В. , к.ф.-м.н.  

 

Представлений Харківським національним університетом імені В.Н. Каразіна.

 

Розроблено комплекс апаратури вимі­рювання параметрів синтезу і мікроконтролерна система управління процесом препарування плівкових систем. Досліджено умови реалізації одночасної екстракції іонів і електронів з плазмового односітчастого джерела заряд­жених частинок з комбінованим високочастотним (ВЧ) індукційно-ємнісним розрядом. За результатами досліджень розроблено низько­енергетичне джерело комбінованого іонно-електронного потоку з діаметром пучка 250 мм.

Запропоновано технологію синтезу плівок Ti-O-N нанорозмірної товщини осадженням в контрольованому вакуумному середовищі титану, який розпилюється пучком іонів Ar з енергією 5 кеВ та низькою щільністю іонного струму. Одержано ультратонкі суцільні плівки TiNx, TiNxOy на підкладках кремнію, оброблених безпосе­редньо перед осадженням пучком іонів аргону. Проведено комплексне дослідження плівок TiNxOy, сформованих методом іонно-променевого розпилення. Показано вплив вакуумних умов під час синтезу на елементний склад та хімічний стан сформованих структур. Методами електронної спектроскопії проведено дослідження впливу високоенергетичних іонів на склад та хімічний стан нанорозмірних плівок Cr-O-N при іонно-стимульованому осадженні.

Досліджено фізичні закономірності утворення, температурної та розмірної стійкості рідкої фази в шаруватих бінарних системах евтектичного типу у широкому інтервалі товщин. Експериментально показано існування критичної товщини контактного плавлення, тобто такої товщини плівки одного з компонентів системи, що знаходиться у контакті з товстою плівкою другого компоненту, нижче за яку утворення рідкої фази в системі при евтектичній температурі не відбувається.

Результати досліджень  можуть застосовуватися для осадження нітридних, оксид­них, діамантоподібних та інших тонких плівок, виготовлення захисних високотемпературних покриттів, багатошарових періодичних структур для рентгенівської оптики, іонно-променевої літографії, травління мікро- і наноструктур при виробництві інтегральних мікросхем, оптоелектронних пристроїв і в інших мікро- і нанотехнологіях.

 

Кількість публікацій: 66,в т.ч. 29 статей у реферованих журналах, 34 тези доповідей,  отримано 3 патенти.