Номер роботи - P 12 НАГОРОДЖЕНА
Представлено Національним технічним університетом України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського".
Автори:
1. ВОЙТЕНКО Олександр Іванович – доктор фізико-математичних наук, провідний науковий співробітник Інституту фізики НАН України;
2. ГАБОВИЧ Олександр Маркович – доктор фізико-математичних наук, провідний науковий співробітник Інституту фізики НАН України;
3. ГОРШКОВ В’ячеслав Миколайович – доктор фізико-математичних наук, професор Національного технічного університету України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського";
4. КОРОТАШ Ігор Васильович – кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник Інституту металофізики НАН України;
5. КУЗЬМИЧЄВ Анатолій Іванович – доктор технічних наук, професор Національного технічного університету України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського";
6. РУДЕНКО Едуард Михайлович – доктор фізико-математичних наук, завідувач відділу Інституту металофізики НАН України;
7. СЕМЕНЮК Валерій Федорович – кандидат фізико-математичних наук, директор ТОВ "ГРЕСЕМ ІНОВЕЙШН";
8. СЕМЕНЮК Надія Іванівна – провідний науковий співробітник ТОВ "ГРЕСЕМ ІНОВЕЙШН".
Робота є підсумком багаторічних досліджень у області фізики плазми, конденсованих середовищ та взаємодії між іонними потоками, породженими плазмовими середовищем, і металічними, напівпровідниковими та діелектричним мішенями. Авторами вивчено як елементарні електронні та атомно-молекулярні процеси, так і колективні явища, притаманні системам із багатьох складових.
Авторами отримано зразки плівок та покриттів з поліпшеними характеристиками. Відкрито та вперше досліджено новий фізичний ефект – колективний ("батутний") пороговий механізм розпилення мішеней, який реалізується внаслідок концентрації енергії іонних потоків у приповерхневих шарах твердого тіла, що є революційним кроком у сучасній іонно-плазмовій інженерії поверхні. Детально досліджено надпровідні структури, створені магнетронним розпиленням, та тунельні ефекти в надпровідних переходах з урахуванням нано-масштабної перебудови електронного спектра внаслідок утворення хвиль зарядової густини (ХЗГ).
Авторами досліджено кінетику елементарних процесів кристалізації, утворення нанокластерів та наностовпчиків, що суттєво доповнює та пояснює елементарні процеси, які визначають поведінку нерівноважної межі розподілу між плазмою та твердим тілом. За допомогою теоретичного "мікроскопу" розглянуто покрокові процеси, які формують поверхню в процесах розпилення та кристалізації.
Створено декілька працюючих установок, які здатні розпилювати мішені, виготовлені з металів, напівпровідників, діелектриків і полімерів, внаслідок взаємодії з їх поверхнею іонних потоків надвисокої густини. Авторами отримано зразки плівок та покриттів з поліпшеними характеристиками.
Всі опубліковані результати є новими, важливими та апробованими, частина праць виконана в співавторстві з науковцями США, Польщі, Японії, Південної Кореї, Німеччини, Росії, Словаччини.
Громадське обговорення роботи відбулося 30 червня 2021 року на засіданні Вченої ради Інституту фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України за адресою: м. Київ, проспект Науки, 41. Матеріали обговорення знаходяться в Секретаріаті Комітету.
Кількість публікацій: 8 монографій, 19 розділів монографій, 180 статей (172 – у англомовних журналах з імпакт-фактором). Загальна кількість посилань на публікації авторів/ h-індекс, згідно з базами даних складає відповідно: Web of Science – 1746/22, Scopus –1958/24, Google Scholar– 2468/26. Отримано 56 патентів України на винахід та міжнародних патентів.
Версія для друку